| 发明名称 | 氮化物半导体的制造方法及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化物半导体的制造方法，包括以下步骤：形成掺有p型杂质的氮化物半导体；氧化氮化物半导体的表面，在其上形成氧化膜；以及激活p型杂质，将氮化物半导体的导电类型转变为p型。由于除去了留在氮化物半导体表面上的碳和其上形成的氧化膜，因此可以防止由于激活处理氮化物半导体的表面退化，并且增加了p型杂质的激活速率。由此，可以减小氮化物半导体与电极的接触电阻，由此减小了氮化物半导体的特性变化。 | ||
| 申请公布号 | CN1395322A | 申请公布日期 | 2003.02.05 |
| 申请号 | CN02140341.4 | 申请日期 | 2002.07.01 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 松本治;安斋信一;喜嶋悟 |
| 分类号 | H01L33/00;H01S5/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 栾本生;梁永 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体的制造方法，包括以下步骤：形成掺有p型杂质的氮化物半导体；氧化所述氮化物半导体的表面，在其上形成氧化膜；以及激活p型杂质，将所述氮化物半导体的导电类型转变为p型。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||