发明名称 |
具备包含有隧道磁阻元件的存储单元的薄膜磁性体存储器 |
摘要 |
在数据读出之前被预充电到预充电电压(Vpr)的数据总线(DB)在数据读出时经过选择存储单元,与预充电电压相同的电压进行电耦合。驱动晶体管(62a)由于在数据读出时流过读出电流,把数据总线与电源电压(驱动电压)相耦合。电荷传输型放大单元(100)把数据总线的电压维持为预充电电压的同时,根据流过数据总线的读出电流(数据读出电流)的积分值生成输出电压(Vout)。传输门(130)、差分放大器(140)以及闩锁电路(145)根据规定时序中的输出电压,生成输出数据(DOUT)。 |
申请公布号 |
CN1395253A |
申请公布日期 |
2003.02.05 |
申请号 |
CN02124495.2 |
申请日期 |
2002.06.28 |
申请人 |
三菱电机株式会社 |
发明人 |
日高秀人 |
分类号 |
G11C11/15 |
主分类号 |
G11C11/15 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
刘宗杰;叶恺东 |
主权项 |
1.一种薄膜磁性体存储器,其特征在于:具备:各自的电阻值均随着被外加磁场写入的存储数据电平而变化的多个磁存储单元,;在数据读出时,经过上述多个磁存储单元中被选择出的磁存储单元,与第1电压进行电耦合的第1数据线;在数据读出之前,把上述第1数据线设定为预充电电压的第1预充电电路;在上述数据读出时,用于在上述第1数据线上流过数据读出电流的第1读出驱动电路;设置在上述第1数据线与第1内部节点之间,维持上述第1数据线的电压的同时,用于在上述第1内部节点生成对应于上述第1数据线上的上述数据读出电流的积分值的第1输出电压的第1电荷传输反馈型放大单元;以及根据上述第1内部节点的电压,生成读出数据的放大单元。 |
地址 |
日本东京都 |