发明名称 |
具有埋置的导电条的半导体结构,以及产生与埋置的导电条电接触的方法 |
摘要 |
本发明涉及具有埋置的导电条的半导体结构,以及生产与埋置的导电条接触的方法。一种半导体结构300包括多个第一导电条303、多个第二导电条304和在该第一导电条303之上平行的多个第三导电条307,该第二导电条304相对于该第一导电条303绝缘并与第一导电条303一起形成一格栅,该第三导电条307部分覆盖该第二导电条304并与其绝缘,其中半导体结构300,在所有情况下在两相邻的该第二导电条304之间,电接触305位于每个第一导电条303和相应的位于其上的第三导电条307之间。 |
申请公布号 |
CN1395307A |
申请公布日期 |
2003.02.05 |
申请号 |
CN02126270.5 |
申请日期 |
2002.06.05 |
申请人 |
因芬尼昂技术股份公司 |
发明人 |
C·卢德维格;K·-D·莫哈德;C·库特 |
分类号 |
H01L23/528 |
主分类号 |
H01L23/528 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张志醒 |
主权项 |
1.半导体结构·具有完全相互平行延伸并在半导体衬底中设置的多个第一导电条,·具有完全相互平行延伸并位于该半导体衬底之上的多个第二导电条、相对于该第一导电条绝缘并且与第一导电条一起形成一格栅,以及·具有在该第一导电条之上完全相互平行排列、部分覆盖该第二导电条并相对于第二导电条绝缘的多个第三导电条,·其中在每个第一导电条和位于其上的各自的第三导电条之间地电接触在所有情况下设置在两个相邻的第二导电条之间。 |
地址 |
联邦德国慕尼黑 |