半导体器件的生产方法及其使用的浆体

摘要

使用一种在基板材料(特别地，二氧化硅)上的抛光速率，与在内埋膜材料(特别地，钨)上的抛光速率和在阻挡膜材料(特别地，二氧化钛)上的抛光速率彼此基本相等的浆体，同时抛光内埋膜和阻挡膜。这可以高抛光速率实现无任何台阶或多个台阶的内埋结构。

主权项

1、一种生产半导体器件的方法，该方法包括下述步骤：在硅基板表面上形成槽；以这样的方式在基板表面上生成阻挡膜，以致槽的内壁和底部被阻挡膜覆盖；以这样的方式生成内埋膜，以其填充槽的内部；以及抛光在硅基板上的阻挡膜和内埋膜中的至少一种膜，其中抛光步骤包括使用第三种浆体对在硅基板上的阻挡膜和内埋膜中的至少一种膜进行化学-机械抛光，该第三种浆体是将在内埋膜上抛光速率低于在硅基板上的抛光速率的第一种浆体与在内埋膜上抛光速率高于在硅基板上的抛光速率的第二种浆体混合制备得到的。