发明名称 |
METHOD OF PRODUCING MONOCRYSTALS AND GALLIUM AND/OR ALUMINIUM NITRIDE LAYERS |
摘要 |
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申请公布号 |
PL184897(B1) |
申请公布日期 |
2003.01.31 |
申请号 |
PL19970321030 |
申请日期 |
1997.07.09 |
申请人 |
POLITECHNIKA WARSZAWSKA |
发明人 |
KAMLER GRZEGORZ;PODSIADLO SLAWOMIR |
分类号 |
C01B21/06;C01B21/072;C01G15/00;C30B25/00;H01L21/205 |
主分类号 |
C01B21/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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