| 发明名称 | 快闪存储单元的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种快闪存储单元的制造方法包括步骤：提供已设有至少一多层栅极结构的半导体基底，栅极结构包括第一导电层、介电层、第二导电层与氮化硅层；在栅极结构周围形成一第一间隙壁；在栅极结构与基底上形成多晶硅层；在多晶硅层的侧边周围形成第二间隙壁；以第二间隙壁为掩模进行离子注入，在基底中形成漏极区；去除第二间隙壁；限定掩模，进行离子注入，在基底中形成源极区；以及在基底与栅极结构上形成第三导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN1099705C | 申请公布日期 | 2003.01.22 |
| 申请号 | CN98115229.5 | 申请日期 | 1998.06.24 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王琳松;张格荥 |
| 分类号 | H01L21/82;H01L21/8246;H01L21/8247 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种具有分离栅极的快闪存储单元的制造方法，包括以下步骤：提供一半导体基底，该半导体基底上已设有至少一多层栅极结构，其中该多层栅极结构包括一第一导电层、一介电层、一第二导电层与一氮化硅层；在该多层栅极结构周围形成一第一间隙壁；在该多层栅极结构与该半导体基底上形成一第一多晶硅层；在该多晶硅层的侧边周围形成一第二间隙壁；以该第二间隙壁作为一掩模，进行离子注入，在该半导体基底中形成一漏极区；去除该第二间隙壁；限定掩模，进行离子注入，在该半导体基底中形成一源极区；以及在该半导体基底与该多层栅极结构上形成一第三导电层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||