| 发明名称 | 半导体器件的金属层图案和形成这种金属层图案的方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的金属层图案，包括：在一绝缘层上的基础金属线图案，上述半导体器件的正确操作需要上述基础金属线图案；和位于上述绝缘层上没有基础金属线图案的剩余区域上的虚设金属线图案，其中，上述基础金属线图案和上述虚设金属线图案之间保持一个均匀的间距。本发明还公开了形成上述金属层图案的方法。通过引入虚设金属线图案，使得可在干腐蚀工艺时不会导致过蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN1099696C | 申请公布日期 | 2003.01.22 |
| 申请号 | CN97109704.6 | 申请日期 | 1997.04.26 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 许然喆 |
| 分类号 | H01L21/027 | 主分类号 | H01L21/027 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的金属层图案，包括：在一绝缘层上的基础金属线图案，上述半导体器件的正确操作需要上述基础金属线图案；和位于上述绝缘层上没有基础金属线图案的剩余区域上的虚设金属线图案，其中，上述基础金属线图案和上述虚设金属线图案之间保持一个均匀的间距。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||