发明名称 具有电容器的半导体器件及其制造方法
摘要 MIM型电容器,具有下部电极膜、电容器绝缘膜和上部电极膜。上部电极用布线直接接触到上部电极膜上。第2布线层通过布线用栓塞连接到第1布线层上。下部电极用布线通过下部电极用栓塞连接到下部电极膜上。
申请公布号 CN1392613A 申请公布日期 2003.01.22
申请号 CN02118156.X 申请日期 2002.04.23
申请人 株式会社东芝 发明人 梶田明广;山田雅基
分类号 H01L27/04;H01L21/70;H01L21/00 主分类号 H01L27/04
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王永刚
主权项 1.一种半导体器件,包括:半导体衬底;在上述半导体衬底上边形成的第1层间绝缘膜;在上述第1层间绝缘膜内形成的第1布线层,上述第1布线层在上述第1层间绝缘膜的表面上露出来;在上述第1层间绝缘膜上边形成的MIM型电容器;上述MIM型电容器,包括:在上述第1层间绝缘膜上边形成的下部电极膜;在上述下部电极膜上边形成的电介质膜;和在上述电介质膜上边形成的上部电极膜;在上述第1层间绝缘膜和上述MIM型电容器上边形成的第2层间绝缘膜;在上述第2层间绝缘膜内形成的第2布线层、下部电极用布线和上部电极用布线,上述上部电极用布线直接接触到上述上部电极膜上;把上述第1布线层和上述第2布线层连接起来的布线用栓塞;和把上述下部电极膜和上述下部电极用布线连接起来的下部电极用栓塞。
地址 日本东京都