| 主权项 |
1.一种电浆蚀刻制程之控制方法,适用于具复数个图案密度之复数个晶圆与一电浆控制系统启动达一特定时间,且在每一该些晶圆之一电浆蚀刻制程中经由该电浆控制系统之控制形成一反应物与一产物,其中该电浆蚀刻制程之控制方法至少包括:蒐集该产物与该反应物之一谱线资料;计算该谱线资料中该产物的一相对强度与该反应物的一相对强度之一比値;传送该比値至该电浆控制系统;以及该电浆控制系统依据该电浆控制系统的一经验値资料库中该比値所对应的一电浆参数自动调整,即可依调整后之该电浆参数进行至预期的一蚀刻终站。2.如申请专利范围第1项所述之电浆蚀刻制程之控制方法,其中该谱线资料系由一光谱仪产生。3.如申请专利范围第1项所述之电浆蚀刻制程之控制方法,其中该谱线资料系由一质谱仪产生。4.如申请专利范围第1项所述之电浆蚀刻制程之控制方法,其中每一该些图案密度系表示一不须蚀刻之面积与一总面积之一比値。5.如申请专利范围第1项所述之电浆蚀刻制程之控制方法,其中该电浆参数为时间。6.如申请专利范围第1项所述之电浆蚀刻制程之控制方法,其中该电浆参数为温度。7.如申请专利范围第1项所述之电浆蚀刻制程之控制方法,其中该电浆参数为压力。8.如申请专利范围第1项所述之电浆蚀刻制程之控制方法,其中该电浆参数为功率。9.如申请专利范围第1项所述之电浆蚀刻制程之控制方法,其中该电浆参数为气体流量。10.如申请专利范围第1项所述之电浆蚀刻制程之控制方法,其中该自动调整之步骤可为临场(in-situ)。11.如申请专利范围第1项所述之电浆蚀刻制程之控制方法,其中该自动调整之步骤可为即时(real-time)。12.如申请专利范围第1项所述之电浆蚀刻制程之控制方法,其中该反应物为气体。13.一种电浆蚀刻制程之控制方法,适用于具复数个图案密度之复数个晶圆与一电浆控制系统启动达一特定时间,且在每一该些晶圆之该电浆蚀刻制程中经由该电浆控制系统之控制形成一反应物与一产物,其中该电浆蚀刻制程之控制方法之特征在于临场且即时蒐集该产物与该反应物之一谱线资料,并根据该谱线资料中该产物之相对强度与该反应物之相对强度之一比値自动调整一电浆参数。图式简单说明:第1图为电浆蚀刻制程中以光谱仪所产生之产物与反应物之光谱;第2A图为习知浅沟槽隔离技术之结构剖面图;第2B图为习知双镶嵌技术之结构剖面图;第3图为本发明之一较佳实施例中电浆参数与以光谱仪所获得的产物之相对强度A及反应物之相对强度B的比値A/B之关系图;第4图为电浆蚀刻制程中以质谱仪所产生之产物与反应物之质谱;第5图为本发明之另一较佳实施例中电浆参数与以质谱仪所获得的产物之相对强度A及反应物之相对强度B的比値A/B之关系图;以及第6图为本发明之一较佳实施例之电浆蚀刻制程之控制方法之流程图。 |
