Modifizierter vertikaler Mosfet und Verfahren zu seiner Ausbildung

摘要

Die zum Ausbilden des dynamischen Direktzugriffsspeichers verwendete vertikale MOSFET-Struktur umfaßt: eine Gatestapelstruktur, die einen oder mehrere Siliziumnitridabstandshalter umfaßt; einen in einem Arraygraben angeordneten vertikalen Gatepolysiliziumbereich, der einen oder mehrere Siliziumnitridabstandshalter umfaßt; einen Bitleitungsdiffusionsbereich; einen Shallow-Trench-Isolation-Bereich, der an den Arraygraben angrenzt; und wobei die Gatestapelstruktur derart auf dem vertikalen Gatepolysiliziumbereich angeordnet ist, daß die Siliziumnitridabstandshalter der Gatestapelstruktur und der vertikale Gatepolysiliziumbereich einen grenzenlosen Kontakt mit dem Bitleitungsdiffusionsbereich und dem Shallow-Trench-Isolation-Bereich bilden. Das vertikale Gatepolysilizium ist sowohl von der Bitleitungsdiffusion als auch dem Shallow-Trench-Isolation-Bereich durch den Nitridabstandshalter isoliert, der eine reduzierte Bitleitungskapazität und ein reduziertes Auftreten von Kurzschlüssen von der Bitleitungsdiffusion zum vertikalen Gate liefert.