半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及双极晶体管的制造方法，它允许在多晶硅发射极制造中不用光刻工艺。并能在形成金属电极之前测晶体管特性。本发明公开了批量制造结构和电特性均相同的晶体管用的晶片中的扩散检验晶体管。扩散检验晶体管有其尺寸允许与绝缘区内的集电极接触而进行测试的探针进入的集电区探测开口(201)，有其尺寸允许与超出绝缘壁外的前面区邻近的区域中的发射极接触的探针进入的发射区开口(301)，使发射区开口(301)和发射区(13)桥接的沟，它掩埋沟中的多晶硅发射极使其电连接，和在相邻区中与所述开口(301)尺寸相同的基区开口(401)。因此，扩散晶体管能在金属电极形成前测试晶体管的扩散率。

主权项

1、制造半导体器件的方法，半导体器件中具有在制造过程中检测电极的物理状态的检测单元，该方法包括以下步骤：形成在制造工艺中测试用的扩散检验晶体管；在预定的制造步骤测扩散检验晶体管的特性；按测试结果调节发射区深度，其中，所述形成扩散检验晶体管的步骤包括以下步骤：在第2导电类型的衬底(1)上形成第1导电类型的埋入层(2)；在所述埋入层(2)上形成第1单晶区(31)；形成从第1单晶区表面伸入衬底内的器件隔离沟(5)，并在所述沟(5)的末端的衬底一侧构成绝缘的沟道停止层(4)；在所述沟(5)内填充绝缘物并平整填充的绝缘物表面；在所述第1单晶区(31)上形成绝缘膜(6)；在所述绝缘膜(6)上形成基极(7)；使所述基极表面绝缘；在所述第1单晶区(31)上形成有第2导电类型单晶区(9)的本征基区；形成邻近第1单晶区并由绝缘膜(8)伸到所述埋入层内的第1探测开口(201)，和允许探针接触用作集电区的第1单晶区(32)的第2开口(301)。分别形成至第1开口(201)和第2开口(301)里边并在发射区一侧覆盖沟和发射层的有第1导电类型的第1晶体硅壁(12-b和12-a)。