| 主权项 |
1.一种高频率晶体振荡器,包含:一振荡电路,使用一石英晶体元件;位准增高装置,用以增高来自该振荡电路之输出的谐波成分之位准;一滤波器,用以选择该谐波成分之预定级次的成分;以及一放大器,用以放大由该滤波器所选择之该成分。2.如申请专利范围第1项所述之高频率晶体振荡器,其中该滤波器系为一种SAW(表面声波)滤波器。3.如申请专利范围第2项所述之高频率晶体振荡器具中该振荡电路系为一种考毕子(Colpitts)振荡电路。4.如申请专利范围第3项所述之高频率晶体振荡器,其中该振荡电路系以该石英晶体元件之基频运作。5.如申请专利范围第4项所述之高频率晶体振荡器,其中该石英晶体元件系为一种AT切割石英晶体元件。6.如申请专利范围第4项所述之高频率晶体振荡器,更包含用以提供该振荡电路之可变振荡频率之电压可变电容元件。7.如申请专利范围第6项所述之高频率晶体振荡器,其中该电压可变电容元件系为一种可变电容二极体。8.如申请专利范围第6项所述之高频率晶体振荡器,其中该振荡电路包含一电晶体,而该位准增高装置系为用以设定该电晶体之操作点之电阻。9.如申请专利范围第8项所述之高频率晶体振荡器,其中该SAW滤波器选择4次谐波。10.如申请专利范围第9项所述之高频率晶体振荡器,其中该4次谐波之频率系为622.08MHz。11.如申请专利范围第6项所述之高频率晶体振荡器,其中该位准增高装置系为一种宽频放大器,用以接收来自该振荡电路之振荡输出以作为输入,并在饱和区中运作。12.如申请专利范围第11项所述之高频率晶体振荡器,其中该SAW滤波器选择4次谐波。13.如申请专利范围第12项所述之高频率晶体振荡器,其中该4次谐波之频率系为622.08MHz。14.如申请专利范围第6项所述之高频率晶体振荡器,其中该振荡电路包含一电晶体,而该位准增高装置系为连接至该电晶体并调整预定级次之该谐波之一种输出调谐电路。15.如申请专利范围第14项所述之高频率晶体振荡器,其中该输出调谐电路系为连接至该电晶体之集极并具有C接头之一种LC调谐电路,而该SAW滤波器系从该C接头提供与该SAW滤波器之输入阻抗相匹配之振荡输出。16.如申请专利范围第15项所述之高频率晶体振荡器,其中该SAW滤波器选择4次谐波。17.如申请专利范围第16项所述之高频率晶体振荡器,其中该4次谐波之频率系为622.08MHz。图式简单说明:图1系为显示习知高频率晶体振荡器之电路构造之电路图;图2系为显示线性积体电路放大器之输入/输出特性之曲线图;图3系为显示习知高频率晶体振荡器之构造之立体图;图4系为显示依据本发明较佳实施例之高频率晶体振荡器的构造之电路图;图5系为显示来自图4所示之高频率晶体振荡器中的晶体振荡电路之输出信号之波形图;图6系为显示来自图4所示之高频率晶体振荡器中的晶体振荡电路之输出信号的频谱之一例的图表;图7系为显示来自意图输出正弦波之晶体振荡电路之输出信号的频谱之一例的图表;图8系为说明厚度切变石英晶体元件之基谐波(fundamental)的振荡振幅之示意图;图9系为说明厚度切变石英晶体元件之3次谐波的振荡振幅之示意图;图10系为显示依据变形例之高频率晶体振荡器之电路图;图11系为显示依据另一种变形例之高频率晶体振荡器之电路图;图12系为显示依据又另一种变形例之高频率晶体振荡器之电路图;图13系为显示输出调谐电路之另一例之电路图;以及图14系为显示输出调谐电路之又另一例之电路图。 |
