| 主权项 |
1.一种防止钨插塞在去除聚合物时受到腐蚀之方法,适用于一基底,其上具有一钨插塞,该方法包括下列步骤:于该钨插塞上形成一阻障层;于该阻障层上形成一含铝金属层;于该含铝金属层上形成一图案化的光阻层;以该图案化的光阻层为罩幕,蚀刻该阻障层与该含铝金属层直到露出该钨插塞表面,而形成一图案化的含铝金属层与阻障层,并且在该图案化的含铝金属层侧壁上沈积有聚合物;去除该光阻层;以及对该基底施行一紫外线照射处理。2.如申请专利范围第1项所述之防止钨插塞在去除聚合物时受到腐蚀之方法,其中该阻障层系由化学气相沈积法所形成之氮化钛层。3.如申请专利范围第1项所述之防止钨插塞在去除聚合物时受到腐蚀之方法,其中该含铝金属层系由物理气相沈积法所形成之铝铜合金层。4.如申请专利范围第1项所述之防止钨插塞在去除聚合物时受到腐蚀之方法,其中该含铝金属层系由物理气相沈积法所形成之铝矽铜合金层。5.如申请专利范围第1项所述之防止钨插塞在去除聚合物时受到腐蚀之方法,其中蚀刻该阻障层与该含铝金属层的方法系采用C12/BC13/N2(CHF3)/Ar的混合气体作为乾蚀刻剂。6.如申请专利范围第1项所述之防止钨插塞在去除聚合物时受到腐蚀之方法,其中去除该光阻层系使用电浆灰化法以O2/H2O作为反应气体。7.如申请专利范围第1项所述之防止钨插塞在去除聚合物时受到腐蚀之方法,其中施行该紫外线照射处理的条件系在190-230℃的温度下进行。8.如申请专利范围第1项所述之防止钨插塞在去除聚合物时受到腐蚀之方法,其中施行该紫外线照射处理的条件系至少进行45秒钟。9.如申请专利范围第1项所述之防止钨插塞在去除聚合物时受到腐蚀之方法,更包括在对该基底施行该紫外线照射处理后去除该聚合物。10.如申请专利范围第9项所述之防止钨插塞在去除聚合物时受到腐蚀之方法,其中去除该聚合物系使用有机胺溶液作为蚀刻剂。图式简单说明:第1A至1F图为根据习知技术之钨插塞之铝导线之制造流程剖面图。第2A至2G图为根据本发明实施例之防止钨插塞在去除聚合物时受到腐蚀之制造流程剖面图。 |
