发明名称 主动矩阵液晶显示装置
摘要 一种主动矩阵液晶显示装置,藉由降低对应于在制造装设在IPS液晶显示装置中之液晶显示面板之有线基板上,由划分曝光的位移划分位置,垂直微弱条纹,袖横向串音造成的强调分别线,而具有改善的画质。补偿电容形状使得寄生电容无关于其是否位在划分位置或其他位置上。在驱动元件侧的基板上,经由划分曝光制造且装设在主动矩阵液晶显示装置中,所形成的信号线和其最近共电极线之间的电容是很重要的。液晶材料由平行于基板表面的电场所驱动。
申请公布号 TW517171 申请公布日期 2003.01.11
申请号 TW088107687 申请日期 1999.05.12
申请人 电气股份有限公司 发明人 渡边诚;渡边贵彦
分类号 G02F1/133 主分类号 G02F1/133
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种主动矩阵液晶显示装置,包括:形成于一层中的信号线和形成于另一层中的共电极,且在显示面上经由划分曝光制成形状,其中电容形状各被提供在每个该信号线及/或该共电极上而被补偿,以使得该信号线和该共电极线之间最近处的寄生电容,不考虑其位置而与其是否位在划分部份上,不会造成实质上的不同。2.一种主动矩阵液晶显示装置,其中液晶由平行于显示面板的基板表面之电场分量所驱动,且其在显示面板的基板上具有包括扫描线和共电极的一层以及包括信号线和画素电极的另一层,且二层皆经由划分曝光制成形状,其中电容形状各被提供在每个该信号线及/或该共电极上而被补偿,使得在划分部份的寄生电容,大致下等于其他位在非划分部份的位置上该信号线和该共电极线之间最近处的寄生电容。3.如申请范围第1项之液晶显示装置,每个该补偿电容形状为一位在该信号线上的分枝电极,横向地自该信号线的纵向周围投射,延伸超出最近于该信号线的该共电极,且接着弯曲而平行于该信号线延伸一既定距离。4.如申请范围第2项中之液晶显示装置,其中每个该补偿电容形状为一位在该信号线上的分枝电极,横向地自该信号线的纵向周围投射,延伸超出最近于该信号线的该共电极,且接着弯曲而平行于该信号线延伸一既定距离。5.如申请范围第1项之液晶显示装置,其中每个补偿电容形状为一在该共电极上的分枝电极,自其投射以使其当以上视时与该信号线叠置,且顺着该信号线的纵向方向延伸一既定距离。6.如申请范围第2项之液晶显示装置,其中每个补偿电容形状为一在该共电极上的分枝电极,自其投射以使其当以上视时与该信号线叠置,且顺着该信号线的纵向方向延伸一既定距离。7.一种主动矩阵液晶显示装置,其中液晶由平行于显示面板的基板表面之电场分量所驱动,其在显示面板的一基板上具有包括扫描线和梳状共电极的一层以及包括垂直于该扫描线的该信号线和画素电极的另一层,且该二层皆经由划分曝光制成形状,至少该信号线在划分位置上为周期性,其特征在于包括:(a)分枝电极,各自由该信号线的一或二纵向周围投射,自其延伸超出最近于该信号线的该共电极的梳状部份,且接着弯曲而平行于该信号线延伸一既定距离;(b)在每个位在划分位置上的该信号线因曝光而偏离的情况下,根据在划分位置上该分枝电极与最近的该共电极的梳状部份之间的该寄生电容以使寄生电容总和不变的增/减,藉由增加/减少在划分位置上,在该分枝电极的弯曲和延伸部份与最近的该共电极的梳状部份之间的寄生电容,使得在划分部份的寄生电容,大致等于非位在划分部份的位置上的寄生电容。8.一种主动矩阵液晶显示装置,其中液晶由平行于显示面板的基板表面之电场分量所驱动,且其在显示面板的基板上具有包括扫描线和梳状共电极的一层以及包括垂直于扫描线的信号线和画素电极的另一层,且该二层皆经由划分曝光制成形状,假设划分位置至少在该信号线上,其特征在于包括:(a)安排辅助电极形状,各自由该共电投射一既定宽度以使其当以上视时与该信号线叠置,且顺着该信号线的纵向方向延伸一既定距离;(b)在每个位在划分位置上的该信号线因曝光而偏离的情况下,根据在划分位置上该信号线与最近的该共电极的梳状部份之间的寄生电容以使寄生电容总和不变的增/减,藉由增加/减少在划分位置上,由增加/减少相同信号线和相同辅助电极之叠覆面积而造成之在该信号线与该辅助电极之间的寄生电容,使得在划分部份的寄生电容,大致等于位在非划分部份的位置上的寄生电容。9.一种主动矩阵液晶显示装置,包括:(a)画素,各由一画素电极,一共电极线和一主动元件所组成;扫描线和信号线置于第一透明基板上,该基板具有液晶配向膜直接或经由一绝缘层媒介物置于其上;(b)一液晶层,夹置于该第一透明基板和第二透明基板之间,二基板彼此经由一该液晶配向膜媒介物而相对;(c)各个该电极被用以施加一主要平行于该基板的电场至该液晶层;(d)该画素各被连接至外界控制方式,以根据所要显示的图形任意控制所要施加的电场;以及(e)一偏光装置,以改变入射光经过该基板之一传送的偏光状态;(f)该显示装置由包括该画素电极,该共电极线和该扫描电极线,经由划分曝光制成形状的步骤之制程所制造;(g)其特征在包括:使用补偿寄生电容,以使该信号线和该共电极线之间的寄生电容大致相等于显示面的整个区域中其他各寄生电容,即使对应在该划分曝光步骤中,产生包括该扫描线和该共电极线之一层,与包括该信号线和该画素电极一层之间的叠覆偏移。10.如申请范围第9项之液晶显示装置,其中每个该补偿电容形状由着附于该信号线的分枝电极组成。11.如申请范围第9项之液晶显示装置,其中每个该补偿电容形状由分枝共电极加在该共电极线上所组成。12.如申请范围第9项之液晶显示装置,其中每个该补偿电容形状由加于该信号线的分枝电极和加于该共电极线的分枝共电极组成。图式简单说明:第1图系显示根据本发明之第一实施例的平面图;第2图系显示自第1图中之b-b'线所取得之纲要剖面图,以说明关于本发明之第一实施例的动作;第3图系显示根据本发明之第二实施例之基本部份的平面图;第4图系显示自第3图中之c-c'线所取得之纲要剖面图,以说明关于本发明之第二实施例的动作;第5图所示为习知液晶显示装置之部份的平面图;第6图系显示液晶显示装置之整体架构的平面图;第7图系显示自第5图所示之习知液晶显示装置中,由a-a'线所取得之剖面图;第8图所示为线和电极之信号的时序图;第9图所示为电位差与经由共电极线和画素电极之间的范围之光穿透率的关系图;第10图系显示闸极线反转驱动模式的说明图;第11图所示为点反转驱动模式的说明图;第12图所示为举例曝光偏移方向,在习知液晶显示装置造成的缺陷;第13a,13b图系显示习知液晶显示装置中出现的缺陷的纲要图;第14a,14b图所示为在习知液晶显示装置上关于造成缺的机制的说明图(G层偏移的情况);第15a,15b图系显示在习知液晶显示装置上关于造成缺的机制的说明图(D层偏移的情况);第16图所示为习知液晶显示装置中,共电极线上信号电压变化的时序图;以及第17图所示为习知液晶显示装置中,在共电极线上的电位偏移的情况下,在显示位置的显示上所显示的亮度关系之纲要图。
地址 日本