| 摘要 |
Ein Vertikal-Transistor (100) weist auf einen Source-Bereich (103), einen Drain-Bereich (109), einen Gate-Bereich (108), und einen Kanalbereich (104) zwischen dem Source-Bereich (103) und dem Drain-Bereich (109), welche in vertikaler Richtung in einem Halbleitersubstrat (101) angeordnet sind, wobei der Gate-Bereich (104) eine elektrische Isolierung zum Source-Bereich (103), zum Drain-Bereich (109) und zum Kanalbereich (104) aufweist und derart um den Kanalbereich (104) angeordnet ist, dass der Gate-Bereich (108) und der Kanalabereich (104) eine koaxiale Struktur bilden.
|
