Halbleiterelement und Halbleiterspeicher-Bauelement, das dieses verwendet,申请号DE19946031810-传众专利搜索

发明名称	Halbleiterelement und Halbleiterspeicher-Bauelement, das dieses verwendet
摘要
申请公布号	DE69431810(D1)	申请公布日期	2003.01.09
申请号	DE19946031810	申请日期	1994.08.12
申请人	HITACHI, LTD.	发明人	YANO, KAZUO;ISHII, TOMOYUKI;HASHIMOTO, TAKASHI;SEKI, KOICHI;AOKI, MASAKAZU;SAKATA, TAKESHI;NAKAGOME, YOSHINOBU;TAKEUCHI, KAN
分类号	H01L21/8247;G11C11/22;G11C11/404;G11C16/02;G11C16/04;G11C16/28;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/01;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/66;H01L29/76;H01L29/788;H01L29/792;H01L29/94;H01L31/036;H01L31/062;H01L31/112;H01L31/113;(IPC1-7):H01L29/788	主分类号	H01L21/8247
代理机构		代理人
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