发明名称 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON EINEM AUF GaN-AlN BASIERTEN HOCHSPANNUNGSHALBLEITERBAUELEMENT UND HERGESTELLTES HALBLEITERBAUELEMENT
摘要
申请公布号 DE69625045(D1) 申请公布日期 2003.01.09
申请号 DE19966025045 申请日期 1996.12.06
申请人 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN 发明人 TASKER, R.;MENSZ, M.;KHAN, A.
分类号 H01L29/20;H01L21/285;H01L21/335;H01L29/10;H01L29/51;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/80;(IPC1-7):H01L21/18;H01L29/205 主分类号 H01L29/20
代理机构 代理人
主权项
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