| 发明名称 | 低应力超厚氮硅化合物薄膜沉积方法 | ||
| 摘要 | 一种低应力超厚氮硅化合物薄膜沉积方法。源为氩气稀释的SiH<SUB>4</SUB>,浓度为1－30%;硅烷的流量为1.5－6L/min;氨气的流量为0.01－0.2L/min;生长温度为750℃－1000℃;硅烷和氨气的比例为25∶1－120∶1;真空系统的抽速为15L/min－2000L/min。本发明提出的方法能够生长出一种内应力极低的低应力氮化硅,采用普通的LPCVD(低压化学气相沉积)设备,在850℃,淀积厚度超过15微米的低应力氮化硅。这种薄膜能够进行三维立体加工。 | ||
| 申请公布号 | CN1389589A | 申请公布日期 | 2003.01.08 |
| 申请号 | CN01115945.6 | 申请日期 | 2001.06.06 |
| 申请人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明人 | 于中尧 |
| 分类号 | C23C14/06;C23C14/54 | 主分类号 | C23C14/06 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 戎志敏 |
| 主权项 | 1.一种低应力超厚氮硅化合物薄膜沉积方法，其特征在于方法包括：源为氩气稀释的SiH4，浓度为1-30％；硅烷的流量： 1.5-6L/min；氨气的流量： 0.01-0.2L/min；硅烷和氨气的比例： 25∶1-120∶1；生长温度： 750℃-1000℃；真空系统的抽速为15L/min-2000L/min。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村路17号 | ||