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发明名称 PROCEDE DE FORMATION DANS UNE PLAQUETTE DE SILICIUM D'UN CAISSON ISOLE
摘要
申请公布号 FR2785087(B1) 申请公布日期 2003.01.03
申请号 FR19980013541 申请日期 1998.10.23
申请人 STMICROELECTRONICS SA 发明人 ANCEAU CHRISTINE
分类号 H01L21/20;H01L21/316;H01L21/32;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/301;H01L21/763 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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