用于增加位在高功率LED晶片上之反射性可焊接接点中的镜面反射性之扩散障壁层

摘要

一种可焊接发光二极体(LED)晶片(26；44)以及一种用于制造实施该LED晶片之LED灯的方法系使用可在高温制程期间避免该LED晶片之二个相异层的分子迁移的一扩散阻障层(36；46)。在较佳实施例中，该LED晶片的二相异层为一背面反射器(34)与一焊料层(38)。防止背面反射器与焊料层中之材料互混将可减缓背面反射器将光(由LED发射出)反射之能力的劣化。该LED晶片包含一高功率A1InGaPLED(28)或其他种类的LED、一背面反射器、一扩散阻障层以及一焊料层。背面反射器偏好由银或银合金所组成，而焊料层则偏好由铟、铅、金、锡或其合金与共晶相制成。在第一个实施例中，扩散层(36)系由镍或钒化镍所制成。在第二个实施例中，扩散层(46)系由钛-钨-氮化物(TiW：N)所制成。除了避免焊料层的铟与背面反射器的银互混外，该扩散层可避免背面反射器中的银暴露于空气而劣化。在另一个实施例中，该扩散层由非导电材料制成。

主权项

1.一种发光结构(26;44),包含有:一用于发光的发光二极体(28),该发光二极体具有至少一层对于激发讯号有反应;一连接至该发光二极体的反射器(34),用于将入射在该反射器上之由该发光二极体所发射的部分该光线反射,该反射器包含对于该光线具有一预定反射率的一反射材料层;一接合层(38),位在该反射层反面的该反射器的一面,用于将该光产生构件与该发光二极体固着于一安装表面(40)上,该接合层包含一黏着于该安装表面的接合材料;以及一扩散阻障层(36;46),位于该反射器与该接合层之间,用于将该反射器与该接合层隔离,以便在暴露于高温时,该接合材料不会迁移至该反射材料中。2.如申请专利范围第1项之结构,其中该扩散阻障层(36;46)系由导电材料制成。3.如申请专利范围第2项之结构,其中该扩散层的该导电材料(36;46)由镍、钒化镍及钛-钨-氮化物组成的族群中选择。4.如申请专利范围第1项之结构,其中该扩散阻障层(36;46)系由非导电材料制成。5.如申请专利范围第4项之结构,其中该扩散阻障层(36;46)的该非导电材料为介电质。6.一种用于制造发光装置(26;44)的方法,包含的步骤有:沈积(48)一反射材料层(34)于一光产生装置(28)表面上;形成(50)一扩散阻障层(36;46)于该反射材料层上,以便将该反射材料层定位于该扩散层与该光产生装置之间;沈积(52)一焊料层(38)于该扩散阻障层上,以便将该反射材料层与该焊料层以该扩散阻障层隔离;安置(54)具有该反射材料层、该扩散层与该焊料层的该光产生装置于一安装表面(40)上,以便将该焊料层与该安装表面接触;以及熔解(56)该焊料层,而将该光产生装置固着于该安装表面,包含以该扩散阻障层避免该反射材料与该焊料互混。7.如申请专利范围第6项之方法,其中形成(50)该扩散阻障层(36;46)的该步骤包含沈积一导电材料层于该反射材料层(34)的一步骤。8.如申请专利范围第7项之方法,其中沈积该导电材料层(34;36)的该步骤系为沈积由镍、钒化镍及钛-钨-氮化物组成之族群中选择的一材料层于该反射材料(34)层上的一步骤。9.如申请专利范围第6项之方法,其中形成(50)该扩散阻障层(36;46)的该步骤包含沈积一非导电材料层于该反射材料层(34)的一步骤。10.如申请专利范围第9项之方法,其中沈积该非导电材料层(36;46)的该步骤系为沈积一介电材料层于该反射材料(34)层上的一步骤。图式简单说明:第1图为具有一背面反射器与一焊料层之习知技艺高功率LED晶片的示意图。第2图为根据本发明之第一个实施例之可焊接高功率LED晶片的示意图。第3图为根据本发明之第二个实施例之可焊接高功率LED晶片的示意图。第4图为一种用于制造根据本发明之高功率LED灯之方法的流程图。