| 主权项 |
1.一种双镶嵌结构的制作方法,至少包括下列步骤:于一半导体基底表面上形成一第一绝缘层,其中该第一绝缘层系为经由旋涂高分子(spin-on polymer,SOP)技术所形成之低介电常数材料;于该第一绝缘层中形成一孔洞;于该第一绝缘层上形成一第二绝缘层,并使该第二绝缘层填入该孔洞,其中该第二绝缘层系为经由化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)技术所形成之低介电常数材料;于该第二绝缘层内形成一渠沟,该渠沟之位置系相对应于该孔洞之上方;去除该孔洞内之该第二绝缘层;以及于该渠沟以及该孔洞内填满一导电层。2.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中该半导体基底包含有一金属导线,而该孔洞系形成于该金属导线上方。3.如申请专利范围第2项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中该金属导线之材质系由以下任一种材质所构成:铜、铝铜合金。4.如申请专利范围第2项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中该半导体基底包含有一顶层,系覆盖住该金属导线之表面。5.如申请专利范围第4项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中该顶层系由以下任一种材质所构成:氮化矽、碳化矽。6.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构的制作方法,另包含有一步骤:形成该孔洞之前,于该第一绝缘层正形成一第一盖层。7.如申请专利范围第6项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中该第一盖层系由以下任一种材质所构成:SiO2.SiC、SiN、SRO、SiON。8.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构的制作方法,另包含有一步骤:形成该渠沟之前,于该第二绝缘层上形成一第二盖层。9.如申请专利范围第8项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中该第二盖层系由以下任一种材质所构成:SiO2.SiC、SiN、SRO、SiON。10.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构的制作方法,另包含有一步骤:进行化学机械研磨(chemicalmechanical polishing,CMP)制程,将位于该渠沟以外之该导电层去除。11.如申请专利范围第10项所述之双镶嵌结构的制作方法,另包含有一步骤:于该导电层表面上形成一保护层。12.如申请专利范围第11项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中该保护层系由以下任一种材质所构成:氮化矽、碳化矽。13.如申请专利范围第1项所述之双镶嵌结构的制作方法,其中该导电层系由铜所构成。图式简单说明:第1A至1D图显示传统的双镶嵌技术的剖面示意图。第2A至2J图显示本发明之制作双镶嵌结构的方法示意图。 |
