| 主权项 |
1.一种具有储存电容器之画素结构,包括:一第一电容电极,形成于一基板上;一电容介电层,形成于该第一电容电极上;一第二电容电极,形成于该电容介电层上,其中该第二电容电极的一面积范围小于该第一电容电极的一面积范围;一保护层覆盖过于该第二电容电极上,其中该保护层有一开口,暴露出该第二电容电极;以及一画素电极层覆盖于该保护层上,透过该保护层之该开口与该第二电容电极连接。2.如申请专利范围第1项所述之具有储存电容器之画素结构,其中该第一电容电极与该第二电容电极之一重叠区域具有与该第二电容电极大致上相等的一面积。3.如申请专利范围第1项所述之具有储存电容器之画素结构,其中该画素电极与一开关元件连接。4.如申请专利范围第1项所述之具有储存电容器之画素结构,其中该画素电极与一薄膜电晶体连接。5.如申请专利范围第1项所述之具有储存电容器之画素结构,其中该第一电容电极连接于一共通电压。6.一种具有储存电容器之画素结构,包括:一第一电容电极,形成于一基板上;一电容介电层,形成于该第一电容电极上;以及一第二电容电极,形成于该电容介电层上,其中该第二电容电极之一边缘不跨过该第一电容电极之一边缘。7.如申请专利范围第6项所述之具有储存电容器之画素结构,更包括:一保护层覆盖过于该第二电容电极上,其中该保护层有一开口,暴露出该第二电容电极;以及一画素电极层覆盖于该保护层上,透过该保护层之该开口与该第二电容电极连接。8.如申请专利范围第6项所述之具有储存电容器之画素结构,该第一电容电极之该边缘,残留有一异物。9.如申请专利范围第8项所述之具有储存电容器之画素结构,该一异物包括非晶矽。10.如申请专利范围第6项所述之具有储存电容器之画素结构,该第一电容电极与该第二电容电极所形成之一电容器,受控于一薄膜电晶体。11.一种具有储存电容器之画素结构的形成方法,包括:形成一第一电容电极,于一基板上;形成一电容介电层,于该第一电容电极上;形成一第二电容电极,于该电容介电层上,其中该第二电容电极的一面积范围小于该第一电容电极;形成一保护层覆盖过于该第二电容电极上;定义该保护层以形成一开口,暴露出该第二电容电极;以及形成一画素电极层,覆盖于该保护层上,透过该保护层之该开口与该第二电容电极连接。12.如申请专利范围第11项所述之具有储存电容器之画素结构的形成方法,其中该第一电容电极与该第二电容电极之一重叠区域,具有与该第二电容电极大致上相等的一面积。13.如申请专利范围第11项所述之具有储存电容器之画素结构的形成方法,其中该画素电极与一开关元件连接。14.如申请专利范围第11项所述之具有储存电容器之画素结构的形成方法,更包括连接该画素电极至一薄膜电晶体。15.如申请专利范围第11项所述之具有储存电容器之画素结构的形成方法,更包括连接该第一电容电极至一共通电压。16.一种液晶显示装置,包括:复数条扫描线;复数条信号线;以及复数个画素,每一画素包括一液晶单元,具有一画素电极连接至一储存电容,以及一开关元件,连接该液晶单元与该些信号线之一,该开关元件之一连接至该些扫描线之一;其中,该储存电容包括一第一电容电极、一电容介电层与一第二电容电极,该第二电容电极与该第一电容电极之一重叠区域大致上相等于该第二电容电极之面积。图式简单说明:第1图绘示绘示习知薄膜电晶体液晶显示器的驱动电路;第2图绘示一习知薄膜电晶体液晶显示器的布局结构;第3A图绘示依照本发明,薄膜电晶体液晶显示器的布局结构;以及第3B图绘示依照本发明,于第3A图中沿II-II线的剖面图。 |
