| 主权项 |
1.一种阳极,包含:(a)铌金属核心,(b)导电次氧化物铌层,及(c)包含五氧化铌之介电阻挡层。2.如申请专利范围第1项之阳极,其中阳极于介电阻挡层中具有钽含量相对于阳极约为1,500至12,000ppm。3.如申请专利范围第1项之阳极,其中次氧化物层之厚度至少约为50nm。4.一种用于制造电容器之阳极之程序,包含烧结铌金属粉且在烧结体之表面电解地产生介电阻挡层,其中,阻挡层系由一电解质产生,此电解质包含含有阴离子之有机酸之溶液。5.如申请专利范围第4项之程序,其中电解质包含草酸钽溶液。6.如申请专利范围第4项之程序,其中电解质之导电率约为0.15至25mS/cm。7.如申请专利范围第6项之程序,其中电解质之导电率至少约为5mS/cm。8.一种电容器,包含一阳极,此阳极包含(a)铌金属核心,(b)导电次氧化物铌层及(c)五氧化铌之介电阻挡层。 |
