| 发明名称 | 半导体器件制造工艺 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法,包含的步骤有:用旋涂工艺在基板上形成第一层绝缘薄膜;对该第一层绝缘薄膜在380～500℃温度下进行硬化工艺,持续时间为5～180秒;用旋涂工艺在该第一层绝缘薄膜上形成第二层绝缘薄膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1388985A | 申请公布日期 | 2003.01.01 |
| 申请号 | CN01802598.6 | 申请日期 | 2001.06.28 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 前川薰;星野聪彦;杉浦正仁;F·阿勒格雷蒂 |
| 分类号 | H01L21/312;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/312 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，该方法包含步骤：用旋涂工艺在基板上形成第一层绝缘薄膜；对该第一层绝缘薄膜在380～500℃温度下进行硬化工艺，持续时间为5～180秒钟；和用旋涂工艺在该第一层绝缘薄膜上形成第二层绝缘薄膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||