发明名称 | 半导体存储装置的数据写入方法以及半导体存储装置 | ||
摘要 | 一种半导体集成电路装置,具有与第一存储单元块电连接的第一数据传送线,与第二存储单元块电连接用的第二数据传送线,对所述第一、第二数据传送线中的任一条实施充电的充电电路,第一数据保持电路,与所述第一数据保持电路电连接的第二、第三数据保持电路,依据保持在所述第三数据保持电路处的数据对第一电压节点实施充电或放电的充电和放电电路,使所述第一电压节点与所述第一、第二数据传送线中的任一条电连接的第一连接电路,第四数据保持电路,以及使所述第四数据保持电路与所述第一电压节点电连接用的第二连接电路。 | ||
申请公布号 | CN1388534A | 申请公布日期 | 2003.01.01 |
申请号 | CN02126275.6 | 申请日期 | 2002.02.20 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 野口充宏;合田晃;竹内祐司 |
分类号 | G11C16/10;G11C7/00 | 主分类号 | G11C16/10 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1.一种半导体存储装置的数据写入方法,所述半导体存储装置具有至少包含有一个第一存储单元的、可实施数据再次写入操作的第一存储单元块,以及至少包含有一个与第一存储单元相邻的第二存储单元的、可实施数据再次写入操作的第二存储单元块,其特征在于这种数据写入方法包括:对所述第一存储单元实施数据写入;在对所述第一存储单元实施数据写入之后,对所述第二存储单元实施数据写入;在对所述第二存储单元实施数据写入之后,对所述第一存储单元实施数据判断;以及当所述数据判断结果为所述第一存储单元的数据未到达时,对所述第一存储单元实施数据再次写入。 | ||
地址 | 日本东京都 |