| 发明名称 | 介电层的蚀刻制程 | ||
| 摘要 | 一种介电层的蚀刻制程,是对一硅基底表面的一介电层进行一富高分子的电浆蚀刻制程,以去除掉部分的介电层,并于介电层与硅基底的曝露表面上形成高分子薄膜;对高分子薄膜进行氧电浆处理,以使其结构松散;最后进行湿蚀刻制程,将高分子薄膜完全去除,并同时去除掉残留在硅基底表面的介电层。通过富高分子的电浆蚀刻制程去除第二介电层,并额外利用氧电浆处理高分子薄膜,增加蚀刻终点的稳定度,并降低离子轰击现象所产生的破坏,确保后续的湿蚀刻制程可完全去除第一介电层的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN1388571A | 申请公布日期 | 2003.01.01 |
| 申请号 | CN01118337.3 | 申请日期 | 2001.05.24 |
| 申请人 | 矽统科技股份有限公司 | 发明人 | 陈永修;张欣怡;黄于玲 |
| 分类号 | H01L21/311;H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/311 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘朝华 |
| 主权项 | 1、一种介电层的蚀刻制程，其特征在于：它包括如下步骤：(1)提供一硅基底，其表面上覆盖有一介电层；(2)对该介电层进行一富高分子的电浆蚀刻制程，以去除掉部分的该介电层，并于该介电层与硅基底的曝露表面上形成一高分子薄膜；(3)对该高分子薄膜进行一氧电浆处理；(4)进行一湿蚀刻制程，以将该高分子薄膜完全去除。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学园区 | ||