| 发明名称 | 基于氮化物的化合物半导体晶体衬底结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在衬底主体的基于氮化物的化合物半导体基层上直接形成金属层,其中金属层包括从这样一组金属中选择的至少一种,该组金属借助于热处理,促使从基层中去掉构成原子借助于热能的提供,形成穿过所述金属层的许多小孔,并在基于氮化物的化合物半导体基层中形成很多空隙;利用在开始工序中填充所述空隙和后继的在多孔金属层上的主外延生长,以在所述金属层上形成外延生长的基于氮化物的化合物半导体晶体层。 | ||
| 申请公布号 | CN1387231A | 申请公布日期 | 2002.12.25 |
| 申请号 | CN02120281.8 | 申请日期 | 2002.05.21 |
| 申请人 | 日本电气株式会社;日立电线株式会社 | 发明人 | 碓井彰;柴田真佐知;大岛祐一 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L33/00;H01S5/30 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;方挺 |
| 主权项 | 1.一种形成外延生长的基于氮化物的化合物半导体晶体衬底结构的方法，所述方法包括：在基于氮化物的化合物半导体基层上直接形成金属层，其中金属层包括从这样一组金属中选择的至少一种，该组金属借助于热能，促使从所述基于氮化物的化合物半导体基层中去掉构成原子；利用提供的热能，形成穿过所述金属层的许多小孔，和在所述基于氮化物的化合物半导体基层中形成很多空隙；和利用在开始工序中填充所述空隙和后继的在主工序中在所述金属层上的外延生长，进行基于氮化物的化合物半导体晶体的外延生长，以在所述金属层上形成外延生长的基于氮化物的化合物半导体晶体层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||