| 发明名称 | 利用硒化晶片接合的用于原子分辨率存储移动器的加工方法 | ||
| 摘要 | 一种用于原子分辨率存储(ARS)系统(200)的改进的加工方法,其中在大部分其它的器件加工之前,在转子晶片(220)的介质侧上淀积导电电极(434(c))和保护层(350),因而保护用作ARS存储介质(222)的表面(460)免受随后的晶片薄化加工的影响。还在较后的阶段在定子晶片(230)中形成CMOS电路(232)。因此,CMOS电路232不易被热加工破坏。此外,转子晶片(220)的介质侧的加工可以在放宽的热积聚条件下进行。最后,因为转子晶片(220)的介质侧在转子晶片(220)和定子晶片(230)的晶片接合之前被加工,所以具有较小的可能性使晶片接合的可能性变小。因此,可以提高器件产量,降低制造成本。 | ||
| 申请公布号 | CN1387251A | 申请公布日期 | 2002.12.25 |
| 申请号 | CN02120306.7 | 申请日期 | 2002.05.21 |
| 申请人 | 惠普公司 | 发明人 | H·李;C·C·杨;P·哈特维尔 |
| 分类号 | H01L21/82;B81B5/00 | 主分类号 | H01L21/82 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京;黄力行 |
| 主权项 | 1.一种用于加工原子分辨率存储系统(200)的方法包括：通过在第一晶片(220)的第一侧上淀积导电电极(434(c))加工(610)第一晶片(220)的第一侧；在第一晶片(220)的第一侧上淀积(612)保护层(350)；接合(614)第一晶片(220)和处理晶片(530)；使第一晶片(220)在其第二侧被薄化(616)；加工(620)第二晶片(230)；接合(626)第一晶片(220)和第二晶片(230)；以及除去(628)处理晶片(530)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||