清洗半导体晶片的方法及其所采用的清洗系统

摘要

经蚀刻过的晶片在具有三个同心隔间的浴槽中清洗。在所述隔间之间建立隔墙作为水闸,使清洗水充填所述中隔间以溢出至置放晶片的内隔间。所述隔墙的顶部成波状以产生水层流来清洗晶片。所述层流可迅速地分离出不要的粒子。外隔间让过多的水溢出,因而减缓至晶片的清洗水的流率。在所述浴槽底部提供多个孔洞以清洗出水口也有助于更均匀的流动。

主权项

1.一种用于半导体晶片的清洗系统，它包括：一浴槽；至少两个同心隔间；分隔所述隔间的隔墙，而在所述隔间之间形成障碍；在所述隔墙的顶部形成的波纹，用以引起水层流；容纳所述晶片的晶舟，设置于所述隔间的内隔间中；清洗水的入口，位于所述内隔间隔壁的第二隔间的底部，以使清洗水充满所述第二隔间并溢出所述清洗水至分隔所述内隔间和所述第二隔间的隔墙的顶部，并且清洗所述晶片；以及清洗水的出口，位于所述浴槽的底部。