| 主权项 |
1.一种电镀金属退火的方法,该方法包括:提供一半导体结构;形成一介电层于该半导体结构上;形成一开口于该第一介电层内且接触到部分该半导体结构;以电镀方法形成一金属层于该介电层上且填满该开口;及以氨气(NH3)电浆方法退火该金属层。2.如申请专利范围第1项之电镀金属退火的方法,其中该半导底结构包括有场氧化区、闸极结构、汲极和源极区。3.如申请专利范围第1项之电镀金属退火的方法,其中该第一介电层之材质系选自二氧化矽(SiO2)、四乙基氧化矽酸盐(TEOS,TetraEthy1-OrthoSilicate)、硼磷矽酸玻璃(BPSG, BoroPhosphoSilicate Glass)之一种。4.如申请专利范围第1项之电镀金属退火的方法,其中该金属层系选自铜、铝、钨、钛、钽、和上述金属的合金之一种。5.如申请专利范围第1项之电镀金属退火的方法,其中该氨气电浆方法系选自电浆促进化学气相沉积法(PECVD, Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition)和高密度电浆化学气相沉积法(HDPCVD,High Denstiy Plasma Chemical Vapor Deposition)之一种。6.如申请专利范围第5项之电镀金属退火的方法,其中该氨气电浆方法之高频无线电波波频(HFRF)使用的电力是从0.1瓦/平方公分至5瓦/平方公分,低频无线电波波频(LFRF)使用的电力系从0.05瓦/平方公分至0.5瓦/平方公分。7.如申请专利范围第6项之电镀金属退火的方法,其中该氨气电浆方法系在温度350℃至450℃下进行。8.如申请专利范围第7项之电镀金属退火的方法,其中该氨气电浆方法系在0.1托(Torr)到10托(Torr)。9.如申请专利范围第8项之电镀金属退火的方法,其中该氨气电浆方法所需的时间系从30秒至300秒。10.一种电镀金属退火的方法,该方法包括:提供一半导体结构;形成一二氧化矽层于该半导体结构上;形成一开口于该二氧化矽层内且接触到部分该半导体结构;以电镀方法形成一金属层于该二氧化矽层上且填满该开口;及以氨气(NH3)电浆方法退火该金属层。11.如申请专利范围第10项之电镀金属退火的方法,其中该半导体结构包括有场氧化区、闸极结构、汲极和源极区。12.如申请专利范围第10项之电镀金属退火的方法,其中该金属层系选自铜、铝、钨、钛、钽、和上述金属的合金之一种。13.如申请专利范围第10项之电镀金属退火的方法,其中该氨气电浆方法系选自电浆促进化学气相沉积法(PECVD, PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition)和高密度电浆化学气相沉积法(HDPCVD, High Density Plasma Chemical VaporDeposition)之一种。14.如申请专利范围第13项之电镀金属退火的方法,其中该氨气电浆方法之高频无线电波波频(HFRF)使用的电力从0.1瓦/平方公分至5瓦/平方公分,低频无线电波波频(LFRF)使用的电力从0.05瓦/平方公分至0.5瓦/平方公分。15.如申请专利范围第14项之电镀金属退火的方法,其中该氨气电浆方法系在温度350℃至450℃下进行。16.如申请专利范围第15项之电镀金属退火的方法,其中该氨气电浆方法系在0.1托(Torr)到10托(Torr)下进行。17.如申请专利范围第16项之电镀金属退火的方法,其中该氨气电浆方法所需的时间系从30秒至300秒。18.一种电镀金属退火的方法,该方法包括:提供一半导体结构;形成一二氧化矽层于该半导体结构上;形成一开口于该二氧化矽层中且接触部分该半导体结构;以电镀方法形成一铜层于该二氧化矽层上且填满该开口;及以氨气(NH3)电浆促进化学气相沉积方法(PECVD, PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition)退火该铜层。19.如申请专利范围第18项之电镀金属退火的方法,其中该半导体结构包括有场氧化区、闸极结构、汲极和源极区。20.如申请专利范围第18项之电镀金属退火的方法,其中该氨气电浆方法之高频无线电波波频(HFRF)使用的电力从0.1瓦/平方公分至5瓦/平方公分,低频无线电波波频(LFRF)使用的电力从0.05瓦/平方公分至0.5瓦/平方公分。21.如申请专利范围第20项之电镀金属退火的方法,其中该氨气电浆促进化学气相沉积方法系在温度350℃至450℃下进行。22.如申请专利范围第21项之电镀金属退火的方法,其中该氨气电浆促进化学气相沉积方法系在0.1托(Torr)到10托(Torr)下进行。23.如申请专利范围第22项之电镀金属退火的方法,其中该氨气电浆促进化学气相沉积方法所需的时间系从30秒至300秒。图式简单说明:第一图用以说明使用传统炉管退火制程所引起的突起缺陷之示意图;第二图系使用本发明之方法则不具有突起缺陷之示意图;第三图系为本发明之经具有复数个半导体元件结构之半导体结构之截面示意图;及第四图系为本发明之之经电镀一铜层及一氨气电浆退火制程之半导体结构之截面示意图。 |
