| 主权项 |
1.一种双道金属镶嵌构造的蚀刻方法,系以有机LowK膜和其上所形成之遮罩层做为被蚀刻层,并将于前述有机LowK膜层具有肩部之双道金属镶嵌构造,使用至少2种以上的制程气体,以乾式蚀刻加以形成的方法,特征在于其中含有,以第1制程气体蚀刻前述遮罩层之后,继续以前述第1制程气体将前述有机LowK膜层蚀刻至预定深度之第1程序,和,在前述第1程序之后,以第2制程气体蚀刻有机LowK膜层之第2程序。2.如申请专利范围第1项之蚀刻方法,特征在于前述第1制程气体至少含有C与F。3.如申请专利范围第1项之蚀刻方法,特征在于前述第1制程气体为CF4与O2与Ar之混合气体。4.如申请专利范围第1项之蚀刻方法,特征在于前述第2制程气体至少含有N与H。5.如申请专利范围第1项之蚀刻方法,特征在于前述第2制程气体为N2与H2之混合气体。6.一种双道金属镶嵌构造的蚀刻方法,系以有机LowK膜和其上所形成之遮罩层做为被蚀刻层,并将于前述有机LowK膜层具有肩部之双道金属镶嵌构造,使用至少2种以上的制程气体,以乾式蚀刻加以形成的方法,特征在于其中含有,以第1制程气体蚀刻矽化合物绝缘层之后,继续以前述第1制程气体将前述有机LowK膜层至少蚀刻到相当于双道金属镶嵌构造之肩部的深度以上之第1程序,和,在前述第1程序之后,以第2制程气体蚀刻有机LowK膜层之第2程序。7.如申请专利范围第6项之蚀刻方法,其中前述矽化合物绝缘层为氮化矽、氧氮化矽或碳化矽,还有其等之混合物。8.如申请专利范围第6项之蚀刻方法,特征在于前述第1制程气体至少含有C与F。9.如申请专利范围第6项之蚀刻方法,特征在于前述第1制程气体为CF4与O2与Ar之混合气体。10.如申请专利范围第6项之蚀刻方法,特征在于前述第2制程气体至少含有N与H。11.如申请专利范围第6项之蚀刻方法,特征在于前述第2制程气体为N2与H2之混合气体。图式简单说明:第1图为可应用本发明的蚀刻装置之概略构成图。第2(a)-(c)图为本实施态样之蚀刻方法的程序图。第3(a)-(c)图为本实施态样之蚀刻方法的程序图。第4(a)-(c)图为本实施态样之蚀刻方法的程序图。第5图为本实施态样之双道金属镶嵌构造的概略构成图。第6图为示意渠沟与介层的接合部分之肩部损失状态的说明图。第7图为介层蚀刻时间与肩部损失之关系示意图。第8图为过分蚀刻(over-etching)时间长的情形(slot 25)与短的情形(slot 24)之Cls轨道光电子强度示意图。第9图示意将过分蚀刻(over-etching)时间长的情形(slot 25)与短的情形(slot 24)之Cls轨道光电子光谱,各别地分离SiLK、CHF-CH2.CHF-CHF之波峰的结果。第10图系将波峰分离之CHF-CH2.CHF-CHF的光电子强度比率做成表。 |
