| 摘要 |
<P>L'invention concerne une mémoire à lecture seulement constituée de cellules dont chacune comprend, entre une ligne de sélection (SL) et une ligne de bit (BL), la connexion en série d'un élément mémoire et d'un transistor MOS de sélection (4) à grille (5) connectée à une ligne de commande de lecture (RL). Les éléments mémoire de cellules vierges (30) sont des transistors MOS à canal P et les éléments mémoire de cellules programmées (20) sont des régions semiconductrices uniformément dopées de type N (26).</P> |
