包含SRAM存储器的集成电路及其测试方法

摘要

一种集成电路包含带有一对交叉耦合的反相器(100、102)的静态存储单元(10)。反相器的输出通过存取晶体管(104、106)的主电流沟道耦合在位线(12a、12b)上。该集成电路在正常与测试模式中操作。在测试模式中使存取晶体管的电导性与存储单元的驱动强度之比相对较高,同时将基本上相等的电压作用在位线上(例如通过在字线上作用一电压使存取晶体管比在正常模式中存取期间更导电)。当这导致该单元反转时便检测到错误。

主权项

1.一种测试包含静态存储单元的集成电路的方法，该集成电路包括一对位线与一条字线，该静态存储单元包含一对反相器与一对存取晶体管，各反相器具有耦合在另一反相器的输出上的输入，各位线通过存取晶体管中各自的一个的主电流沟道耦合在反相器中各自的一个的输出上，各存取晶体管具有耦合在字线上的控制电极，该集成电路可在正常模式与测试模式中操作，本方法包括测试模式中的下述步骤：将基本上相等的电压施加在位线上同时将控制电压施加在字线上并将使存取晶体管的电导性与反相器的驱动强度之比高于正常模式中存取期间的电源电压作用在静态存储单元上；读取该存储单元；当由于施加步骤导致单元的状态反转时检测到错误。