半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法是在硅衬底上形成的半导体元件的规定区域内形成高熔点金属的硅化物层的半导体装置的制造方法中，防止硅化反应的阻碍，合适地形成膜厚较薄阻抗较低的硅化物层。该方法在钛膜107上形成膜应力在1×10¹⁰dyne/cm²以下的氮化钛膜108，由之后的热处理形成钛硅化物层109。氮化钛膜108中的氮原子数量在钛的30％以上80％以下。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，在硅衬底上形成的半导体元件的规定区域内形成高熔点金属的硅化物层的半导体装置的制造方法中，其特征是，具有在硅衬底上形成分离用的氧化膜和栅极氧化膜，在该栅极氧化膜上形成栅极的工序、在该栅极的侧面形成由绝缘膜组成的制动器的工序、在所述硅衬底上掺入杂质形成源·漏极的扩散层的工序、在全区域上覆盖第1高熔点金属膜的工序、在之上所述第1高熔点金属膜上覆盖第2高熔点金属膜的工序、在不包含氮原子的环境中进行热处理在所述第1高熔点金属膜和栅极以及扩散层之间的接触界面上形成高熔点金属硅化物层的工序、除去所述第1高熔点金属膜和所述第2高熔点金属膜的工序、进行热处理将所述高熔点金属硅化物层进行由C49构造变为C54 构造的相转移的工序，所述第2高熔点金属膜中的膜应力在1×1010dyne/cm2以下。