一种S型负阻器件及其制备方法

摘要

本发明的S型负阻器件是由上电极、氧化锌薄膜、P型硅片衬底和下电极依次迭置而成,氧化锌薄膜在P型硅片衬底的正面,上电极在氧化锌薄膜上,下电极在P型硅片衬底的背面。其制备方法包括在经过清洗的P型硅片衬底的背面沉积下电极,在正面沉积氧化锌薄膜,氧化锌薄膜上沉积上电极,再将它放入真空容器与外电路相连,调节外电路电压,使器件具有负阻特性曲线。本发明提出了以硅作为负阻器件的新思路,它制作简单、易行。

主权项

1.S型负阻器件，其特征是由上电极(1)、氧化锌薄膜(2)、P型硅片衬底(3)和下电极(4)依次迭置而成，氧化锌薄膜(2)在P型硅片衬底的正面，上电极(1)在氧化锌薄膜上，下电极(4)在P型硅片衬底的背面。