发明名称 阵列的单元布局相同且周边电路对称的半导体存储器件
摘要 一种半导体动态随机存取存储器件包括排成两列的多个存储器单元阵列,而一列存储器单元阵列有存储器单元子阵列和围绕着存储器单元子阵列排列的读数放大器和子字线驱动器之类的周边电路;子阵列的存储器单元排列在第一图形(P)中,而邻近子阵列的周边电路则相对于与列的方向垂直的对称线相对称地排列,使得在不妨碍设计工作简便性的情况下增加了对准的余量。
申请公布号 CN1096711C 申请公布日期 2002.12.18
申请号 CN98102015.1 申请日期 1998.05.28
申请人 日本电气株式会社 发明人 笠井直记
分类号 H01L27/10 主分类号 H01L27/10
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 卢纪
主权项 1、一种制造在一块半导体基片(40,70)上的半导体存储器件,包括有:沿第一方向(AR11)排列的多个存储器单元阵列(41e-41h;71e-71h),并至少形成一对第一存储器单元阵列(41g/41h);以及与所述至少一对存储器单元阵列的存储器单元可以电连接并设置在所述至少一对的存储器单元阵列之一和所述至少一对的其它所述存储器单元阵列之间的确定的周边电路(40e),所述半导体存储器件的特征在于:所述至少一对的所述存储器单元阵列的所述一个(41h;71h)包括各有沿所述第一方向排列在第一图形(P)中的第一存储器单元的多个第一存储器单元子阵列(42a;43a)以及各与所关联的第一存储器单元子阵列的所述第一存储器单元可以电连接并排列在第二图形(F)中的多个第一周边电路(42b/42c;43b/43c),以及所述至少一对的所述其它(41g;71g)的所述存储器单元阵列包括各有沿所述第一方向排列在所述第一图形(P)中的第二存储器单元的多个第二存储器单元子阵列(43a)以及各与所关联的第二存储器单元子阵列的所述第二存储器单元可以电连接并排列在相对于与所述第一方向垂直的第二方向与所述第二图形相对称的第三图形中的多个第二周边电路(43b/43c)。
地址 日本国东京都