发明名称 Method of Modifying the Surface of a Semiconductor Wafer
摘要 본 발명은 반도체 웨이퍼의 표면 개질 방법을 제공한다. 본 발명의 방법은 (a) 반도체 웨이퍼를 -OH, -OOH, =O 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 내지 10개의 관능기 및 -CH-, -CHO-, -CHO-, -CHO- 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1 내지 10개의 연속적인 기를 갖는 극성 성분 및 물을 포함하는 조성물의 존재하에 고정된 연마제 용품과 접촉시키는 단계, 및 (b) 웨이퍼와 고정된 연마제 용품을 상대적으로 이동시켜 웨이퍼의 표면을 개질하는 단계를 포함한다.
申请公布号 KR20020093991(A) 申请公布日期 2002.12.16
申请号 KR20027014464 申请日期 2002.10.26
申请人 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 캄파니 发明人 가글리알디,존,제이.
分类号 B24B1/00;B24B37/04;C09K3/14;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/321 主分类号 B24B1/00
代理机构 代理人
主权项
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