| 主权项 |
1.一种于一光阻层上形成一唯读码(ROM code)布植图案之方法,该方法包含有下列步骤:提供一表面覆有一光阻层之晶片;提供一投影透镜(projection lens)设于该晶片正上方;提供一预定波长曝光光源,以产生一偶极(dipole)光线;以及提供一唯读码布植光罩,设于该投影透镜与该曝光光源之间,其中该光罩上包含有复数个成不规则排列之唯读码开口,以及复数个辅助开口(assistantopening)穿插设置于该复数个成不规则排列之唯读码开口之间。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该复数个辅助开口系用来增加该复数个唯读码开口的虚影对比(aerial image contrast)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该预定波长为248奈米(nm)。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该预定波长为193奈米(nm)。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该预定波长为157奈米(nm)。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该投影透镜具有一数値孔径大于0.4。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该复数个辅助开口之尺寸需使该偶极光源通过该复数个辅助开口后,不会成像于该光阻层上。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该复数个唯读码开口以及该复数个辅助开口在一x方向上约略呈现周期性之图案。9.一种具有唯读码(ROM code)布植图案之光罩,该光罩包含有:复数个成不规则排列之唯读码开口;以及复数个辅助开口(assistant opening)穿插设置于该复数个成不规则排列之唯读码开口之间;其中该复数个唯读码开口以及该复数个辅助开口在一x方向上约略呈现周期性之图案。10.如申请专利范围第9项之光罩,其中该光罩系用于形成一唯读码(ROM code)布植图案于一光阻层上,该形成唯读码布植图案之方法包含有下列步骤:提供一表面覆有一光阻层之晶片;提供一投影透镜(projection lens)设于该晶片正上方;提供一预定波长曝光光源,以产生一偶极(dipole)光线;以及提供一唯读码布植光罩,设于该投影透镜与该曝光光源之间。11.如申请专利范围第9项之光罩,其中该复数个辅助开口系用来增加该复数个唯读码开口的虚影对比(aerial image contrast)。12.如申请专利范围第10项之光罩,其中该预定波长为248奈米(nm)。13.如申请专利范围第10项之光罩,其中该预定波长为193奈米(nm)。14.如申请专利范围第10项之光罩,其中该预定波长为157奈米(nm)。15.如申请专利范围第10项之光罩,其中该投影透镜具有一数値孔径大于0.4。图式简单说明:图一为一罩幕式唯读记忆体阵列结构之上视图。图二为一依据一组预定唯读码所制作之光罩示意图。图三为一定义后的罩幕式唯读记忆体的上视图。图四为本发明较佳实施例之简化曝光系统的结构示意图。图五(A)为图四所示之光罩之上视图。图五(B)为本发明另一实施例中之光罩之上视图。图六是图四中所显示孔隙盘之上视图。图七为本发明中定义后的罩幕式唯读记忆体的上视图。 |
