| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体液晶显示装置,包括: 一第一基板(40); 一上板电极(42),形成于上述第一基板(40)之内侧; 一第二基板(50),其内侧与上述第一基板(40)内侧相 对,以形成一封闭的液晶槽; 液晶(60),填充于上述第一基板(40)与第二基板(50)间 形成的液晶槽中;及 一下板电极,形成于上述第二基板(50)的内侧,该下 板电极被区分成狭长电极(52)与位于其侧边的至少 一个像素电极(54),其中,狭长电极(52)与薄膜电晶体 之源极电极或汲极电极相连,像素电极(54)与源极 电极或汲极电极不相连,但于垂直投影上至少部份 重叠,其中,上述狭长电极的电压与像素电极的电 压差异范围为5%~200%。2.如申请专利范围第1项所述 之薄膜电晶体液晶显示装置,其中,上述液晶为负 型液晶。3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶 体液晶显示装置,其中,狭长电极的电压比像素电 极的电压高出5%~200%。4.如申请专利范围第1项所述 之薄膜电晶体液晶显示装置,其中,上述狭长电极 系与薄膜电晶体之汲极电极相连接。5.如申请专 利范围第1项所述之薄膜电晶体液晶显示装置,其 中,上述像素电极在电性上系浮接。6.如申请专利 范围第1项所述之薄膜电晶体液晶显示装置,其中, 像素电极的电压系由狭长电极的电压经电容耦合 方式,分压得到。图式简单说明: 第1图系绘示在一习知的垂直排列之LCD中的电位分 布图。 第2A图系绘示本发明之一实施例的布局图。 第2B图系绘示本发明之另一实施例的布局图。 第2C图系绘示第2A、2B图之局部截面图。 第3图系绘示本发明之结构与习知的PVA结构之反应 时间的比较图式。 第4A图系绘示根据本发明之一实施例的由电压差 形成多域的薄膜电晶体液晶显示装置之架构图式 。 第4B图系绘示根据本发明之一实施例在TFT LCD中的 电位分布图。 |
