发明名称 | 合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法 | ||
摘要 | 合成多种金属硒化物及碲化物半导体材料的方法,该方法是以过渡金属锌、镉、铅、锰、钴、镍、铜、银、锑、铋的可溶性盐(如硝酸盐、硫酸盐、氯化物)与亚硒酸或可溶性的亚硒酸盐(如亚硒酸钠、亚硒酸铵),或与亚碲酸或可溶性的亚碲酸盐(如亚碲酸钠、亚碲酸铵)为原料,以水合肼、硼氢化钠、硼氢化钾、羟胺或硫酸肼为还原剂,在密闭反应器中,于100~200℃温度条件下水热还原反应2小时到5天,可合成上述多种金属的硒化物、碲化物半导体材料。本发明克服了现有方法合成硒化物、碲化物半导体材料需要高温,原料剧毒,工艺复杂等问题具有原料价廉易得,设备简单,易于实现控制,工艺重复性好,产品质量稳定,操作安全可靠的优点。 | ||
申请公布号 | CN1384047A | 申请公布日期 | 2002.12.11 |
申请号 | CN02121115.9 | 申请日期 | 2002.06.07 |
申请人 | 清华大学 | 发明人 | 李亚栋;彭卿;董亚杰 |
分类号 | C01B19/00;C01B19/04;H01L21/02 | 主分类号 | C01B19/00 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 1.合成多种金属硒化物半导体材料的方法,其特征是:该方法以亚硒酸或可溶性的亚硒酸盐为硒源,在水溶液中合成多种金属的硒化物,其具体工艺步骤如下:(1)将一定量的过渡金属锌、镉、铅、锰、钴、镍、铜、银、锑或铋的可溶性盐溶于去离子水中制成澄清水溶液;(2)按化学计量比将亚硒酸或可溶性的亚硒酸盐及过量1-10倍的水合肼还原剂与步骤(1)中制备的澄清溶液混合,放入密闭反应器中,于100~200℃温度条件下水热还原反应2小时到5天,可合成所述金属离子硒化物的半导体材料。 | ||
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