半导体元件及其制造方法

摘要

一种半导体元件及其制造方法,该半导体元件包括衬底、形成在衬底上的第一导电型半导体区域、第一、二电极;根据六角堆积结晶面对应形成菱形衬底;还包括:形成在第一导电型区域部分区域的第二导电型区域;分别形成在第一、二导电型区域的第一、二接触区;第一、二电极分别设在第一、二接触区上;菱形衬底、第一、二导电型区域由具相同六角堆积结晶结构的半导体材料构成。本发明的菱形半导体元件平整度良好,可增加半导体元件主动区的有效面积。

主权项

1.一种半导体元件，包括衬底、形成于衬底上的第一导电型半导体区域、第一电极及第二电极；其特征在于：具有六角堆积结晶结构，并根据六角堆积结晶面对应切割形成的菱形衬底；还包括：形成在第一导电型半导体区域的部分区域上的第二导电型半导体区域；形成于第一导电型半导体区域的除了上述第二导电型半导体区域外的其他区域上的至少一第一接触区；形成于第二导电型半导体区域上的至少一第二接触区；第一电极设于第一接触区上；第二电极设于第二接触区上；菱形衬底、第一导电型半导体区域及第二导电型半导体区域由具有相同六角堆积结晶结构的半导体材料构成。