| 摘要 |
<p>Maskentechnik zur Produktion von Halbleiter-Bauelementen, insbesondere einer BH-LaserdiodeDie Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Struktur für Halbleiterbauelemente, insbesondere BH-Laserdioden, bei dem in einem Maskierungsschritt Maskenmaterial auf eine Probe aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätzrate bei einem Ätzschritt (3) in Abhängigkeit von der Zusammensetzung und / oder Beschaffenheit des Maskenmaterials gewählt wird, so dass die Maske (40) während des Ätzschrittes (3) zumindest teilweise aufgelöst wird. Damit wird bei der Herstellung von Halbleiter-Bauelementen das Entfernen der Maske vom Halbleitermaterial und ein weiteres Aufbringen von Schichten in einfacher Weise in-situ möglich.</p> |
