| 主权项 |
1.一种制备结晶化陶瓷薄膜之方法,其特征为于基板上形成陶瓷之非晶质或部份结晶化先驱物薄膜后,再将该薄膜于气压高于5大气压之高压气相中进行热处理,制备得结晶化陶瓷薄膜。2.根据申请专利范围第1项之方法,其系在含有挥发性物质之密闭容器中对该陶瓷之非晶质或部份结晶化先驱物薄膜进行热处理者,其气压乃利用该挥发性物质之蒸气压所产生。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中该挥发性物质包含氧气、氢气、氮气、氩气、水蒸气、二氧化碳、一氧化二氮、双氧水、有机溶剂、无机溶剂、有机硷、无机硷、有机酸、无机酸、金属盐溶液、或其混合物。4.根据申请专利范围第1项之方法,其系在非密闭容器中对该陶瓷之非晶质或部份结晶化先驱物薄膜进行热处理者,其气压乃由一高压气体喷气流所产生。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中该高压气体包含氧气、氢气、氮气、氩气、水蒸气、二氧化碳、一氧化二氮或其混合物。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中该陶瓷之非晶质或部份结晶化先驱物薄膜系以旋镀法、浸镀法、化学气相沈积法、溶胶凝胶法、溅镀法、电镀法、电泳法、蒸发法、离子束法、分子束法、或雷射镀法所形成者。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中该气压之范围为10大气压至250大气压。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中该气压之范围为15大气压至220大气压。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中该热处理系在600℃以下之温度下进行者。10.根据申请专利范围第8项之方法,其中该热处理系在550℃以下之温度下进行者。11.根据申请专利范围第9项之方法,其中该热处理系在500℃以下之温度下进行者。12.根据申请专利范围第10项之方法,其中该热处理系在100℃至400℃之温度下进行者。13.根据申请专利范围第1项之方法,其中该陶瓷薄膜系强介电性薄膜或常介电性薄膜。14.根据申请专利范围第12项之方法,其中该强介电性陶瓷薄膜系SrBi2Ta2O9.BaBi2TaO9.(SrxBa1-x)Bi2Ta2O9.SrBi2(TaxNb1-x)2O9.Pb(ZrxTi1-x)O3.或Sr2(TaxNb1-x)2O7,其中x之范围为0至1。15.根据申请专利范围第1项之方法,其中该陶瓷薄膜之结晶构造为岩盐型、纤锌矿型、闪锌矿型、钙钛矿型、复合钙钛矿型、层状钙钛矿型、烧绿石型、钢玉型、钛铁矿型、金红石型、尖晶石型、反尖晶石型、萤石型、反萤石型、氯化钙型、钨青铜型、铌酸锂型、钽酸锶型、矽酸盐型,或其混合型。16.根据申请专利范围第14项之方法,其中该陶瓷薄膜之结晶构造为钙钛矿型、复合钙钛矿型、层状钙钛矿型、烧绿石型、尖晶石型、萤石型、钨青铜型、或其混合型。17.根据申请专利范围第1项之方法,其中该基板为矽、玻璃、陶瓷、高分子、或其复合物。18.根据申请专利范围第1项之方法热处理后,另于100℃至600℃之温度下进行陶瓷薄膜热处理。19.一种结晶化陶瓷薄膜,其系依申请专利范围第1.2.4或17项之方法所制得者。图式简单说明:图1系实施例1中以本发明之制程于78.9大气压下300℃热处理2小时后,所得之结晶化SrBi2Ta2O9陶瓷薄膜之x射线绕射图谱。图2系比较例1中以一般加热制程于300℃热处理2小时之非晶质SrBi2Ta2O9之x射线绕射图谱。图3系实施例2中以本发明之制程采氨水溶液为蒸气源,于89.4大气压下300℃热处理2小时所得之SrBi2Ta2O9陶瓷薄膜之x射线绕射图谱。图4系实施例3中系以射频溅镀之SrBi2Ta2O9薄膜,于56.5大气压下280℃热处理2小时所得之SrBi2Ta2O9陶瓷薄膜之x射线绕射图谱。图5系实施例5中系于77.6大气压下300℃热处理4小时所得之Pb(Zr0.52 Ti0.48)O3陶瓷薄膜之x射线绕射图谱。图6系比较例2中以一般加热制程于300℃热处理4小时所得之非晶质Pb(Zr0.52Ti0.48)O3陶瓷薄膜之x射线绕射图谱。图7系实施例6中于77.6大气压下300℃热处理2小时所得之结晶化PbTiO3陶瓷薄膜之x射线绕射图谱。图8系实施例7中系于77.6大气压下300℃热处理2小时所得之结晶化Pb3Nb4O13陶瓷薄膜之x射线绕射图谱。图9系比较例3中以一般加热制程于300℃热处理2小时所得之非晶质Pb3Nb4O13陶瓷薄膜之x射线绕射图谱。 |
