| 主权项 |
1.一种具有单石式积体电路配置(31)之半导体晶片,其包含:至少一种光敏元件(34,35,36)及一种开关元件(30)(其可触发此积体电路所需之重置命令),此重置命令依据至少一种光敏元件(34,35,36)之状态而被触发,其特征为:设置一种正反器(30)作为该开关元件。2.如申请专利范围第1项之半导体晶片,其中此开关元件(30)是一种时脉主控之D-正反器。3.如申请专利范围第1项之半导体晶片,其中该光敏元件(34,35,36)具有一种电压特性且在光作用下被短路。4.如申请专利范围第1或2项之半导体晶片,其中此开关元件(30)具有第一和第二输出端且至少一个光敏元件连接在第二输出端及参考电位接点之间及/或连接在第一输出端及电源电位接点之间。5.如申请专利范围第1或2项之半导体晶片,其中至少一种光敏元件(34,35,36)并联至开关元件(30)而连接在电源电位接点(20)和参考电位接点(21)之间。6.如申请专利范围第1或2项之半导体晶片,其中设置第一和第二反相器(11,12)作为开关元件(30),此二个反相器在输入侧分别与一种可由此电路配置之重置命令所闭合之开关(5,6)相连接;第一反相器(12)之输出端形成第一输出(13)且是与第二反相器(11)相连接;第二反相器(11)之输出端形成第二输出。7.如申请专利范围第6项之半导体晶片,其中这些可由此电路配置之重置命令所闭合之开关(5,6)之控制输入端互相连接且形成此开关元件(30)之输入端。8.如申请专利范围第5项之半导体晶片,其中一种电阻(17)是与电源电位接点(20)相连接。9.如申请专利范围第8项之半导体晶片,其中此电阻(17)以金属或多晶矽构成。10.如申请专利范围第1或2项之半导体晶片,其中此开关元件(30)以CMOS技术制成。11.如申请专利范围第1项之半导体晶片,其中此光敏元件(34,35,36)是一种光二极体或一种在照射时具有一种扩散式漏电流之电荷记忆体。12.如申请专利范围第5项之半导体晶片,其中此光敏元件(34,35,36)是一种光二极体或一种在照射时具有一种扩散式漏电流之电荷记忆体。图式简单说明:第1图 此开关元件之原理上之构造图。第2图 此开关元件之实施例,其中正反器由二个反相器构成。第3图 此开关元件以CMOS技术构成之具体形式。 |
