| 主权项 |
1.一种半导体装置之熔丝,包含:一包含第一类型掺杂物的阴极;一包含第二类型掺杂物的阳极,其中第二类型掺杂物与第一类型掺杂物相反;一包含第二类型掺杂物之熔丝连结,并将阴极与阳极连接;以及一接面,形成于熔丝连结与阴极间,且与阴极电位及阳极电位形成反向偏压;以及一传导层,形成于接面上,使通过接面的电流可转向流至传导层,从而加强材料迁移效应,并使熔丝可以进行程式化。2.如申请专利范围第1项之熔丝,其中该阴极、阳极及熔丝连结包含多晶矽。3.如申请专利范围第1项之熔丝,其中该传导层包含矽化物。4.如申请专利范围第1项之熔丝,其中该第一类型掺杂物包含一p型掺杂物,而第二类型掺杂物包含一n型掺杂物。5.如申请专利范围第1项之熔丝,其中该阴极的截面面积较熔丝连结的截面面积大。6.如申请专利范围第1项之熔丝,其中该阴极与熔丝连结间之接面具有一介面,此介面实质地与通过熔丝连结的电流方向垂直。7.一种半导体装置之熔丝,包含:一形成于基体上的传导型样,此传导型样在第一终端部分形成一阴极;一熔丝连结将阴极与一阳极连接,该阳极于传导型样之第二终端部分形成,而熔丝连结与阴极间形成一接面;以及一传导层,形成于接面上,当熔丝通电启动后,接面将变成反向偏压,从而加强材料迁移效应,并使熔丝可以进行程式化。8.如申请专利范围第7项之熔丝,其中该传导型样的材料包含多晶矽。9.如申请专利范围第8项之熔丝,其中该阴极之多晶矽为p型掺杂。10.如申请专利范围第8项之熔丝,其中该熔丝连结之多晶矽为n型掺杂。11.如申请专利范围第7项之熔丝,其中该传导层包含矽化物。12.如申请专利范围第7项之熔丝,其中该阴极与熔丝连结间具有一介面,此介面实质地与通过熔丝连结的电流方向垂直。13.如申请专利范围第7项之熔丝,其中该阴极的截面面积较熔丝连结的截面面积大。14.一种半导体装置之熔丝,包含:一形成于基体上的多晶矽型样,此多晶矽型样在第一终端部分形生一p型掺杂阴极;一n型掺杂熔丝连结将阴极与一阳极连接,该阳极于多晶矽型样之第二终端部分形成;一反向偏压接面于阴极与熔丝连结的介面处形成;一矽化物材料,形成于接面上,当熔丝通电启动后,通过反向偏压接面的电流可转向流至矽化物材料,从而加强电子迁移效应,并使熔丝可以进行程式化。15.如申请专利范围第14项之熔丝,其中该阴极的截面面积较熔丝连结的截面面积大。16.如申请专利范围第14项之熔丝,其中该多晶矽阴极与多晶矽熔丝连结间具有一介面,此介面实质地与通过熔丝连结的电流方向垂直。图式简单说明:图1为根据之前技艺的熔丝结构上视图。图2为图1所示之熔丝结构的熔丝连结之截面剖视图。图3为根据本发明,可加强程式化之反向偏压熔丝结构的上视图;以及图4为根据本发明而示于图3之接面,其在剖面线4-4之截面剖视图。 |
