| 主权项 |
1.一种矽-双载子电晶体,其特征为系含有:基极;射极,其上整个以重剂量方式掺杂有杂原子;集极;其中该基极含有第一基极区域和第二基极区域,该第一基极区域系以重剂剂量掺杂有掺杂原子,该第二基极区域系以微量掺杂有掺杂原子,该射极系直接涂覆于该第二基极区域上。2.如申请专利范围第1项之矽-双载子电晶体,其中该第一基极区域系配置于比该第二基极区域更靠近该集极处。3.如申请专利范围第1或2项之矽-双载子电晶体,其中该第一基极区域系比该第二基极区域掺杂有至少大于2倍之更重剂量的掺杂原子。4.如申请专利范围第3项之矽-双载子电晶体,其中该第二基极区域系具有每立方厘米51018个掺杂原子的掺杂剂量。5.如申请专利范围第3项之矽-双载子电晶体,其中该第一基极区域系具有每立方厘米31019个掺杂原子的掺杂剂量。6.如申请专利范围第1或2项之矽-双载子电晶体,其中该第二基极区域体系具有10奈米到40奈米之间的基极宽度。7.如申请专利范围第1或2项之矽-双载子电晶体,其中该第一基极区域系具有1奈米到40奈米之间的基极宽度。8.如申请专利范围第1或2项之矽-双载子电晶体,其中该基极另外含有其他掺杂原子以便用来支撑该第一基极区域与该第二基极区域之间基本上呈陡峭的接面。9.如申请专利范围第1项之矽-双载子电晶体,其中该掺杂原子含有硼原子。10.如申请专利范围第8项之矽-双载子电晶体,其中该基极地含有碳原子以减小各掺杂原子的扩散作用。11.如申请专利范围第8项之矽-双载子电晶体,其中该基极含有锗原子。12.如申请专利范围第1项之矽-双载子电晶体,其中该射极含有多晶矽。13.一种电路配置,其特征是含有如申请专利范围第1至12项中任一项之矽-双载子电晶体,其包含:基极;射极,其上整个以重剂量方式掺杂有杂原子;集极;其中该基极含有第一基极区域和第二基极区域,该第一基极区域系以重剂剂量掺杂有掺杂原子,该第二基极区域系以微量掺杂有掺杂原子,该射极系直接涂覆于该第二基极区域上。14.一种矽-双载子电晶体之制造方法,其特征系包括:形成集极,形成基极,其中该第一基极区域系重剂量掺杂有掺杂原子,该第二基极区域系微量掺杂有掺杂原子,射极直接形成在第二基极区域上,整个射极以重剂量掺杂有掺杂原子。图式简单说明:第1图系用以显示穿透一种根据本发明的某一解释用实施例之双载子电晶体的截面图示。第2a图到第2c图系用以显示在不同的制程瞬间穿透该双载子电晶体结构的截面图示。第3图系用以显示第1图中双载子电晶体之掺杂剖面的简略图示。 |
