| 主权项 |
1.一种半导体基板,其系具有一个以第III族氮化物 为主要成分之半导体层,其中用以将入射于该半导 体层之一个平面的入射光束散射之散射部,系设于 该半导体层之另一面或内部。2.如申请专利范围 第1项之半导体基板,其中之散射部含有形成于该 半导体层之该另一平面上之不一致高度,该不一致 高度之高度差约为该入射光束波长之1/10或更高。 3.如申请专利范围第2项之半导体基板,其中该半导 体层之另一平面对该入射光束之反射率约为13%或 更低。4.如申请专利范围第3项之半导体基板,其中 该入射光束之波长为365nm或436nm。5.如申请专利范 围第1项之半导体基板,其中该散射部分系设置于 该半导体层之内部,并含有对该入射光束之折射率 ,与第III族氮化物对该入射光束折射率不同之材料 所制之粒子或层。6.如申请专利范围第5项之半导 体基板,其中该材料所制粒子之直径约为该入射光 束波长之1/10或更大。7.如申请专利范围第5项之半 导体基板,其中该材料所制层之宽度伸向与该一个 平面平行之方向,该宽度约为该入射光束波长之1/ 10或更大。8.如申请专利范围第5项之半导体基板, 其中该材料所制层之厚度约为该入射光束波长之1 /10或更大。9.如申请专利范围第5项之半导体基板, 其中 该材料所制之粒子或层伸向与该一个平面平行之 方向,而散射部则沿着与半导体层一个平面平行之 方向延伸,且其中该散射部含有朝着与该一个平面 及该交互堆叠之粒子或层平行方向延伸之另一半 导体层,该另一半导体层是以第III族氮化物为其主 要成分。10.如申请专利范围第5项之半导体基板, 其中该散射部之厚度约为该入射光束波长之1/10或 更厚。11.如申请专利范围第5项之半导体基板,其 中之该材料为选自包括矽、二氧化矽、氮化矽与 三氧化二铝群中之一种材料。12.如申请专利范围 第5项之半导体基板,其中该散射部对该入射光束 之透射比为80%或更小。13.如申请专利范围第12项 之半导体基板,其中该入射光束之波长为365nm或436 nm。14.一种半导体基板,其系具有一个以第III族氮 化物为主要成分之半导体层,其中用以使自该半导 体层之一平面入射至该半导体层之入射光传送的 传送部,系设于该半导体层之另一平面上。15.如申 请专利范围第14项之半导体基板,其中该传送部有 一形成于该半导体层另一平面上之层,此层是以其 对该入射光束之折射率,与第III族氮化物对入射光 束折射率不同之材料所制。16.如申请专利范围第 15项之半导体基板,其系以该材料所制之层是由复 数个层所组成,其中该复数个层中至少有两层对入 射光束之折射率不同。17.如申请专利范围第15项 之半导体基板,其中该材料对该入射光束之折射率 约为第III族氮化物对该入射光束折射率之9/10或更 低。18.如申请专利范围第11项之半导体基板,其中 之该材料是选自包括二氧化矽、氮化矽与三氧化 二铝所组成群中之一种材料。19.如申请专利范围 第15项之半导体基板,其中之该材料为形成该半导 体层之第III族元素与氧之化合物。20.如申请专利 范围第15项之半导体基板,其中之该材料为AlxGa1-xN, 其中0<x≦1。21.如申请专利范围第14项之半导体基 板,其中该发射部分对该入射光光束之透射比为80% 或更高。22.如申请专利范围第21项之半导体基板, 其中该入射光束之波长为365nm或436nm。23.如申请专 利范围第14项之半导体基板,其更进一步含有一个 设置于该半导体层之另一平面与该传送部之间,或 设置于该半导体层内部之散射部,其系用于对该入 射光束加以散射。24.一种半导体基板,其系具有一 个以第III族氮化物为主要成分之半导体层,其中至 少于该半导体层之一部分处设有一吸收部,以用于 吸收入射于该半导体层一个平面上之入射光束。 25.如申请专利范围第24项之半导体基板,其中该吸 收部对该入射光束之透射比为80%或更低。26.如申 请专利范围第25项之半导体基板,其中该入射光束 之波长为365nm或436nm。27.如申请专利范围第24项之 半导体基板,其中该吸收部系以其对该入射光束之 吸收系数大于该第III族氮化物对入射光束吸收系 数之材料制成。28.如申请专利范围第27项之半导 体基板,其中之该材料系由复数个对入射光束吸收 系数不同之材料所组成。29.如申请专利范围第27 项之半导体基板,其中之该材料至少包括矽与钨二 者之一。30.如申请专利范围第24项之半导体基板, 其中该吸收部之制作系对该半导体层添加一种杂 质而使之具有吸收该入射光束之位准。31.如申请 专利范围第30项之半导体基板,其中之该杂质至少 含有选自碳、氧、矽、硫、氯、磷与砷所组成群 中之一种。32.如申请专利范围第30项之半导体基 板,其中保持一个z0≧0.223/之关系,其中之为该 吸收部对该入射光束之吸收系数,而z0为该吸收部 之厚度。33.如申请专利范围第24项之半导体基板, 其中该吸收部系于该半导体层中形成一个点缺陷 所造成。34.如申请专利范围第33项之半导体基板, 其中该点缺陷系于该半导体层中导入质子而形成 。35.如申请专利范围第24项之半导体基板,其中该 吸收部系朝着与该半导体层一个平面平行之方向 不均匀分布。36.一种制造半导体基板之方法,其包 括: 在以第III族氮化物为主要成分之第一半导体层上, 部分形成一光散射部,散射部系由对光之折射率与 该第III族氮化物对光之折射率不同之材料所制造; 并且 在含有该光散射部之该第一半导体层上,结晶生成 第二半导体层,该第二半导体层以该第III族化物为 其主要成分,藉此形成含有该第一半导体层、该光 散射部与第二半导体层之半导体基板。37.如申请 专利范围第36项之制造半导体基板之方法,其中部 分形成该光散射部之步骤包括: 在该半导体层之整个表面上形成一膜做为该光散 射部; 在该膜上部分形成一遮罩图案,并藉该遮罩图案蚀 刻该膜,以除去该膜未被该遮罩图案覆盖之部分, 而形成该光散射部;及 除去该遮罩图案。38.一种制造半导体基板之方法, 其包括: 在一以第III族氮化物为其主要成分之半导体层背 面,形成不一致之高度,不一致高度之高度差超过 一预定値;及 在其上已形成该不一致高度之半导体层之背面,形 成一埋入膜,该埋入膜系由与第III族氮化物有不同 之光折射率之材料所构成,藉此形成含有该半导体 层与该埋入膜之半导体基板。39.一种制造半导体 基板之方法,其包括: 在以第III族氮化物为其主要成分之第一半导体层 上,部分形成一吸光部,该吸光部系由较该第III类 氮化物大之吸收系数之材料所制成;及 在该含有该吸光部之第一半导体层上,结晶生成第 二半导体层,该第二半导体层以该第III族氮化物为 其主要成分,藉此形成含有该第一半导体层、该吸 光部与该第二半导体层之半导体基板。40.一种制 造半导体基板之方法,其包括步骤有在以第III族氮 化物为主要成分之半导体层中,注入杂质以生成一 吸光位准而形成一吸光部,藉此形成含有该半导体 层与该吸光部之半导体基板。41.如申请专利范围 第40项之制造半导体基板方法,其中形成吸光部之 步骤包括: 在该半导体层上,部分形成一遮罩图案,并藉该遮 罩图案向该半导体层中注入杂质,以在该半导体层 内部分形成该吸光部;及 除去该遮罩图案。42.一种半导体装置含有: 一个以第III族氮化物为主要成分之半导体基板,其 具有一个使入射于其一个平面上之光束加以散射 之散射部,该散射部系设置于该半导体基板之另一 平面上或在其内部;及 一个藉光微影术及蚀刻由该第III族氮化物所制成 之半导体层,而在该半导体基板之该一个平面上形 成之结构。43.如申请专利范围第42项之半导体装 置,其中该结构具有一脊型结构或沟型结构。44.一 种半导体装置含有: 一个以第III族氮化物为主要成分之半导体基板,其 系具有一个用于传送入射于其一个平面上光束之 光传送部,该光传送部系设置于该半导体基板之另 一平面上;及 一个藉光微影术及蚀刻由该第III族氮化物所制成 之半导体层,而在该半导体基板之该一个平面上形 成之结构。45.如申请专利范围第44项之半导体装 置,其中该结构有一脊型结构或沟型结构。46.一种 半导体装置含有: 一个以第III族氮化物为主要成分之半导体基板,其 具有一个用于吸收入射于一个平面上光束之吸光 部,该吸光部至少形成于该半导体基板之一部分处 ;及 一个藉光微影术及蚀刻由该第III族氮化物所制之 半导体体层,而在该半导体基板之一个平面上形成 之结构。47.如申请专利范围第46项之半导体装置, 其中该结构有一脊型结构或沟型结构。48.如申请 专利范围第46项之半导体装置,其中该结构有一脊 型结构,且该半导体基板在该脊型结构较低之边未 设置前述吸收部。49.一种图案形成方法,其包括: 在以该第III族氮化物为主要成分之半导体基板之 一个平面上,形成一由第III族氮化物所制之半导体 层,该半导体基板并含有一形成于其另一平面上或 其内部之散射部,以散射入射于该一个平面上之光 束; 在该半导体层上形成一正型或负型抗蚀膜; 透过具有一开口部之光遮罩,以曝光光束照射该抗 蚀膜; 将该抗蚀膜显影,而使得若该抗蚀膜为正型时,使 该抗蚀膜被该曝光光束照射之部分被除去,而若该 抗蚀膜为负型时,则使该抗蚀膜未被曝光光束照射 之部分被除去,因而形成一抗蚀图案;及 以该抗蚀图案为遮罩蚀刻该半导体层。50.一种图 案形成方法,其包括: 在一半导体基板之一个平面上形成一由第III族氮 化物所制之半导体层,该半导体基板在其另一平面 上设有一传送部,以传送从该一个平面入射之光束 ,该半导体基板是以第III族氮化物为其主要组成成 分; 在该半导体层上形成一正型或负型抗蚀膜; 透过具有一开口部分之光遮罩,以曝光光束照射该 抗蚀膜; 将该抗蚀膜显影,使得若该抗蚀膜为正型时,使该 抗蚀膜被曝光光束照射之部分被除去,而若该抗蚀 膜为负型时,则使该抗蚀膜未被曝光光束照射之部 分被除,因而形成一抗蚀图案;及 以该抗蚀图案为遮罩来蚀刻该半导体层。51.一种 图案形成之方法,其包括: 在一半导体基板之一个平面上,形成一由第III族氮 化物所制之半导体层,该半导体基板至少有一部分 设置有一吸收部,以用于吸收入射于该一个平面上 之光束,该半导体基板是以第III族氮化物为主要组 成成分; 在该半导体层上形成一正型或负型抗蚀膜; 透过具有一开口部之光遮罩,以曝光光束照射该抗 蚀膜; 将该抗蚀膜显影,使得若该抗蚀膜为正型时,使该 抗蚀膜被该曝光光束照射之部分被除去,而若该抗 蚀膜为负型时,则使该抗蚀膜未被曝光光束照射之 部分被除去,藉而形成一抗蚀图案;及 以该抗蚀图案为遮罩来蚀刻该半导体层。图式简 单说明: 图1为按照本发明第一实例半导体基板之断面图; 图2(A)至(E)为按照本发明第一实例各制造步骤中半 导体基板之断面图; 图3为按照本发明第一实例制造半导体基板方法中 所用金属有机汽相磊晶术器材之举例; 图4为按照本发明第一实例制造半导体基板方法中 所用氢化物汽相磊晶术器材之举例; 图5为按照本发明第一实例形成于半导体基板上抗 蚀膜之曝光; 图6为若在氮化镓基板上形成具有2m宽之线与空 间部分之线与空间抗蚀图案时基板背面对曝光光 束之反射比与形成线部分之抗蚀图案外在符合项 目比间之关系; 图7为按照本发明第二实例半导体基板之断面图; 图8(A)-(C)为按照本发明第二实例之变化在各制造 步骤中半导体基板之断面图; 图9为按照本发明第三实例半导体基板之断面图; 图10(A)-(E)为按照本发明第三实例在各制造步骤中 半导体基板之断面图; 图11为按照本发明第四实例半导体基板之断面图; 图12为按照本发明第四实例半导体基板之断面图; 图13(A)-(E)为按照本发明第五实例在各制造步骤中 半导体基板之断面图; 图14(A)-(C)为按照本发明第五实例在各制造步骤中 半导体基板之断面图; 图15为按照本发明第六实例半导体基板之断面图; 图16(A)-(F)为按照本发明第五实例在各制造步骤中 半导体基板之断面图; 图17为按照本发明第七实例半导体基板之断面图; 图18(A)-(E)为按照本发明第七实例在各制造步骤中 半导体基板之断面图; 图19为按照本发明第七实例制造半导体基板方法 中将砷植入氮化镓基板中之举例; 图20(A)-(D)为使用本发明第七实例半导体基板制造 半导体装置方法各步骤之断面图; 图21(A)-(D)为使用本发明第七实例半导体基板制造 半导体装置方法各步骤之断面图; 图22为使用本发明第七实例半导体基板所制造半 导体装置之断面图;及 图23为形成于传统式氮化物半导体基板上抗蚀膜 之曝光情形。 |
