| 主权项 |
1.一种环雷射回转机半导体结构,其包含: 一半导体基板; 一光束分离器区域,其制造于该基板上,包含一光 束分离元件,一用以接收一雷射光束之输入,一第 一光学埠,一第二光学埠,以及一侦测器埠; 一制造于该基板上之波导,其具有一第一末端和一 第二末端,该等末端分别耦合至该第一光学埠和第 二光学埠;以及 一光学侦测器,其制造于该基板,其具有光耦合至 该波导侦测器埠之输入。2.如申请专利范围第1项 之结构,进一步地包含一制造于该基板之雷射以提 供该雷射光束。3.如申请专利范围第2项之结构,其 中该雷射是由垂直腔室(cavity)表面发射雷射以及 一边缘耦合雷射构成之群组中所选择的。4.如申 请专利范围第1项之结构,其中该光束分离器元件 包含一薄片之第一材料,该第一材料在雷射光束之 光学路径中具有一第一折射系数,该路径在使光束 之第一部份转向朝向该第一光学埠以及使该光束 之第二部份转向朝向该第二光学埠之角度上。5. 如申请专利范围第4项之结构,其中该波导包含一 具有一与该第一折射系数不同之第二折射系数之 材料。6.如申请专利范围第1项之结构,其中该波导 包含一具有一大于一用来形成一电镀层之材料之 折射系数之折射系数之材料以便利操作于一单一 光学模式中。7.如申请专利范围第6项之结构,其中 该电镀材料是从由氧化物,氮化物,氮氧化物,低k介 电质或任何其之组合构成之群组中选出的。8.如 申请专利范围第1项之结构,其中该光学侦测器包 含一具有多个配置为至少一维阵列之光敏元件之 侦测器阵列。9.一种在一半导体结构上构成一环 雷射回转机之方法,该结构具有一表面,其包括一 在其上可形成一雷射之雷射区域,以及在其上可形 成一波导之波导区域,该方法包含: 在该基板上形成至少一容纳层; 使用至少一合成半导体材料在该雷射区域上之该 容纳层上形成一雷射; 形成一高折射系数层; 在该高折射系数层中蚀刻一波导图样以形成一具 有一纵向光学路径之波导核心;以及 在该光学路径中形成一光束分离器。10.如申请专 利范围第9项之方法,其中该形成一光束分离器包 含在该波导中蚀刻一大致平面之缝隙,其中该平面 缝隙具有一大致在从该波导之光学轴之角度上的 垂直方向。11.如申请专利范围第9项之方法,其中 该基板亦具有一侦测器区域,该方法进一步包含使 用该至少一合成半导体材料形成一光侦测器于在 该侦测器区域上的该容纳层上,且其中该波导耦合 该光侦测器和该雷射。12.如申请专利范围第9项之 方法,其中该形成一雷射包含形成一垂直腔室表面 发射雷射,其具有一活动(active)区域,其沿着大致与 该基板表面垂直之轴发出雷射光。13.如申请专利 范围第12项之方法,其中该形成一容纳层,该蚀刻, 和该形成该光束分离器是在该形成该雷射之前发 生的。14.如申请专利范围第12项之方法,其中该形 成一容纳层,该蚀刻,和该形成该光束分离器是在 该形成该雷射之后发生的。15.如申请专利范围第9 项之方法,并进一步包括以一电镀材料电镀该波导 核心之步骤,其中该电镀材料具有不同且低于该高 折射系数层之折射系数。图式简单说明: 图1,2,3,9,10示意地以横截面说明可根据本发明之不 同实施例使用之装置结构。 图4图形化说明在一本地晶体以及一形成晶状上方 层之间最大可获得的薄膜厚度与晶格不匹配之间 的关系。 图5为一根据在此所示者制造的说明性的半导体材 料之高解析度传输电子显相(TEM)。 图6为一在根据在此所示者制造的说明性的半导体 材料结构上所取的x光衍射。 图7说明一包括一非晶氧化层之结构之高解析度传 输电子显相。 图8说明一包括一非晶氧化层之结构之x光衍射频 谱。 图11-15包括根据在此所示者包括一合成半导体部 份,一双载子部份,以及一MOS部份之积体电路之一 部份的横截面图之说明。 图16-22包括根据在此所示者包括一半导体雷射以 及一MOS电晶体之其他积体电路之一部份之横截面 图之说明。 图23显示可根据本发明加以制造之环雷射回转机 之说明性范例。 图24显示可根据本发明在一环雷射回转机中使用 之说明性的光束分离器区域之放大图。 图25显示可根据本发明制造之环雷射回转机之其 他说明性范例。 图26显示可根据本发明制造之环雷射回转机之其 他说明性范例。 |
