| 主权项 |
1.一种曝光方法,在被曝光光照明后之光罩之图案 像转印于基板上时,事先对被转印于该基板W上之 图案像,使曝光领域之周边部间彼此重叠而进行曝 光之曝光方法,其特征系: 根据形成于前述基板上重叠部份之图案像之形状, 调整前述重叠部份之曝光光照射量,使该图案像之 形状达到目标値。2.如申请专利范围第1项之曝光 方法,其中在图案像之前述周边部之曝光光照射量 ,系设定使其自前述图案像之中心越离开越减少, 并藉由变化前述周边部间彼此重叠范围而调整前 述重叠部份之曝光光照射量。3.如申请专利范围 第1项之曝光方法,其中前述曝光领域系以遮光部 而决定,藉由使与曝光同步且变位之前述遮光部之 移动速度连续地变化而设定前述周边部之曝光光 照射量。4.如申请专利范围第1项之曝光方法,其中 前述曝光领域系以包含减光部件之遮光部而决定, 前述周边部之曝光光照射量,系使用具有自前述图 案像之中心越离开其透过率越减少之减光特性之 减光部件,变化由前述减光部件所形成之重叠部份 之领域而进行照射量之调整。5.一种曝光装置,使 图案像之周边部间彼此重叠,并将图案转印于基板 上之曝光装置,其特征具有: 照明光学系统,将来自光源之曝光光照明于光罩; 投影光学系统,将前述光罩之图案像投影于基板上 ; 照射量调整装置,可调整前述重叠部份之曝光光照 射量; 形状计测系统,计测形成于前述基板上重叠部份之 图案像之形状;及 控制系统,根据前述形状计测系统之计测结果,控 制前述照射量调整装置,使形成于前述基板上重叠 部份之图案像之形状达到目标値。6.如申请专利 范围第5项之曝光装置,其中前述照射量调整装置, 具有: 遮光部,可任意设定被前述曝光光照明之前述光罩 上之领域;及 遮光部变位装置,将前述遮光部变位,使与曝光同 步,并使前述之图案像之周边部之曝光光照射量自 前述图案像之中心越离开越减少。7.如申请专利 范围第6项之曝光装置,其中前述遮光部变位装置, 可任意设定前述遮光部之变位开始位置。8.如申 请专利范围第6项之曝光装置,其中前述遮光部变 位装置,可任意设定前述遮光部之变位速度。9.如 申请专利范围第5项之曝光装置,其中前述照射量 调整装置,系配置于使前述曝光光通过之开口周缘 ,并且具有:自前述开口之中心越离开越使透过率 减少之减光部件;及用以调整该减光部件位置之减 光部件位置调整装置。10.如申请专利范围第5项之 曝光装置,其更具有照射量计测系统,计测被照射 于前述基板上图案像之重叠部份之曝光光照射量 及前述重叠部份以外之曝光光照射量。11.一种元 件制造方法,使多数之图案之周边部间彼此重叠, 于基板上曝光而制造元件之元件制造方法,其特征 系包含: 变更前述周边部间之重叠量,而改变邻接于前述重 叠部份之非重叠部份之曝光量及前述重叠部份之 曝光量之步骤;及 根据前述被变更后之重叠量,曝光前述多数之图案 之步骤。12.如申请专利范围第11项之元件制造方 法,其中前述变更之步骤,包含计测被曝光于前述 基板上重叠部份之图案形状之步骤,根据前述计测 之工程所测得之图案形状,求出前述周边部之重叠 量。图式简单说明: [图1]系表示本发明之曝光装置之第1实施例之概略 图。 [图2]系说明图1之照射量调整装置之图。 [图3]系说明图1之照射量调整装置之图。 [图4]系说明图1之照射量调整装置之图。 [图5A~图5D]系说明在基板上之图案像与曝光量之关 系图。 [图6A~图6E]系说明在基板上之图案像与曝光量之关 系图。 [图7]系说明在基板上之图案之形状与目标値相异 之场合之图。 [图8]系说明以形状计测系统所测得之在基板上之 图案像之形状之图。 [图9A~图9D]系说明在基板上之图案像与曝光量之关 系图。 [图10A~图10E]系说明在基板上之图案像与曝光量之 关系图。 [图11]系说明以形状计测系统所测得之在基板上之 图案像之形状之图。 [图12A~图12D]系说明在基板上之图案像与曝光量之 关系图。 [图13A~图13E]系说明在基板上之图案像与曝光量之 关系图。 [图14A、图14B]系说明遮光部之移动速度与基板上 之曝光量之关系图。 [图15]系表示本发明之曝光装置之第2实施例之构 成图。 [图16]系说明图15之照射量调整装置之图。 [图17]系说明图15之照射量调整装置之图。 [图18A、图18B]系说明于基板上多数之曝光领域重 叠状态之图。 [图19]系用以说明形成图18A、图18B之各曝光领域之 光罩与遮光部之位置关系图。 [图20]系表示半导体装置之制造工程之一例之流程 图。 |
