| 摘要 |
<p>Zur Integration einer Kondensatoreinrichtung in den Bereich einer Halbleiterspeichereinrichtung mit besonders wenigen Prozessschritten wird vorgeschlagen, eine untere Elektrodeneinrichtung und eine obere Elektrodeneinrichtung der vorzusehenden Kondensatoreinrichtung direkt unterhalb bzw. direkt oberhalb des die Speicherelemente aufweisenden Materialbereichs derart auzubilden, dass dadurch zumindest ein Teil des die Speicherelemente aufweisenden Materialbereichs zumindest als Teil des jeweiligen Dielektrikums zwischen der Elektrodeneinrichtungen fungiert.</p> |
